微納光學(xué)在LED芯片中應(yīng)用研究的綜述
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5 結(jié)論
作為第三代照明光源，發(fā)光二極管( LED) 的使用已經(jīng)日益廣泛，LED 發(fā)光效率的提高對(duì)于降低功耗、節(jié)約能源有著重大的意義。目前，GaN 基LED的內(nèi)量子效率已經(jīng)達(dá)到90%，但由于受全反射影響，普通LED 的外量子效率僅為5%。利用LED 芯片表面的微結(jié)構(gòu)加工，可以大幅改善LED 的出光效率。但由于微納結(jié)構(gòu)加工的重復(fù)性不好以及加工過(guò)程中對(duì)半導(dǎo)體材料的電學(xué)特性有所影響，這些因素都會(huì)影響到LED 芯片的出光效率以及增加芯片能耗。因此，優(yōu)化和改善微納結(jié)構(gòu)加工工藝以及將微結(jié)構(gòu)加工與其他提高出光效率的技術(shù)相互結(jié)合，是未來(lái)的研究趨勢(shì)。
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評(píng)論