輻射法

γ射線滅菌8

γ輻射是在1900年研究鐳的輻射時被發(fā)現的。隨后又發(fā)現了其它源，例如锝99m和鈷60。γ輻射的工業(yè)應用始于20世紀50年代，輻射源為鈷60。鈷60不會自然發(fā)生，在反應器中人工生成。鈷60的半衰期為5.2714年。

工作原理9

待滅菌對象置于傳送裝置上，將其送至強γ輻射源附近，例如鈷60。待滅菌對象停止在輻射場后，接受一定的劑量，然后移動傳送裝置，繼續(xù)處理下一個對象。傳送裝置也可不采用停-走的方式，而是以一定的速度(確保劑量合適)連續(xù)移動(連續(xù)處理)。電離輻射產生激勵、電離，當有水存在時，形成游離基結構。游離基是強氧化(OH、HO2)和還原(H)劑，能夠破壞活細胞中必不可少的分子。所以，全部三個過程均造成必不可少的細胞成分的裂變，例如酶類和DNA。從而造成細胞死亡。γ輻射的最嚴重生物損傷形式發(fā)生在γ射線窗內，介于3MeV和10MeV之間。鈷60發(fā)射的γ輻射為1.17MeV和1.33MeV水平，稍低于最有效的范圍。

問題10

γ輻射可深入照射對象。它比物理和化學法快，在高于室溫及標準大氣壓下發(fā)生。輻照器體積大，用2m厚混凝土墻屏蔽環(huán)境，以防輻射。由于放射衰變的原因，需要定期調整照射時間，維持恒定的輻射劑量。除影響活細胞外，γ輻射還影響高分子材料和半導體。對電子器件的影響取決于劑量和劑量率。硅材料中大于5000 rad的總離子持續(xù)數秒到數分鐘，將長時間影響半導體。電路變得不穩(wěn)定，將不再符合技術指標。因此，γ射線滅菌不應用于含有半導體的對象。

電子束滅菌11

由于電子束是由電子管(也稱為真空管)的陽極發(fā)射的，所以最早被稱為陽極射線。陽極射線管(CRT)產生和偏轉電子束，掃描熒光屏，發(fā)明于1897年。隨著電視機的推廣，它變?yōu)橐环N家用電器。在電視機用的CRT中，用10kV (黑白電視)或25kV (彩色電視)的陽極電壓加速成束的電子，電子在到達屏幕時返回金屬導體。電子束發(fā)生器與CRT類似。然而，加速電壓可能高1000倍，屏幕被由鈦箔制成的窗口所代替，它使電子離開真空，但防止來自于大氣的氣體分子進入。電子束用于滅菌始于1956年，當時醫(yī)療器械行業(yè)推動了其首次商業(yè)應用。

工作原理9，12

待滅菌對象置于傳送裝置，緩慢通過電子束發(fā)生器的窗口。選擇傳送裝置的速度，確保輻射劑量合適(連續(xù)處理)。達到滅菌所需的穿透深度要求能量水平為5MeV至10MeV數量級。電子束輻射形成游離基，與高分子發(fā)生反應，從而破壞DNA，造成細胞死亡。該方法能夠破壞所有類型的病原體，包括病毒、真菌、細菌、諸蟲、孢子，以及霉菌。

問題

電子束輻射沒有γ輻射的穿透力強。然而，它比γ射線滅菌快，不產生核廢料，在高于室溫及標準大氣壓下進行。電子束對材料的兼容性比γ輻射更好。當直接照射電子元件時，電子束會造成電荷累積(ESD)，進而造成損壞。因此，電子束不應用于含有半導體的對象。

總結

醫(yī)療應用的滅菌方法有物理、化學和輻射法。每種滅菌方法都有其特點，可作用于或不能作用于半導體器件。選擇具體方法時，應考慮潛在的副作用，尤其涉及到電子器件時。