圖4 測(cè)量電源MOSFET開(kāi)關(guān)時(shí)間的設(shè)置。

　　 圖5 AFG3011直接在顯示器上顯示幅度。

　　 圖6 測(cè)量電源MOSFET的開(kāi)關(guān)時(shí)間。

　　與時(shí)間相關(guān)需要關(guān)注的參數(shù)是起動(dòng)時(shí)延和關(guān)閉時(shí)延及上升時(shí)間和下降時(shí)間。為測(cè)量這些參數(shù)，應(yīng)使用來(lái)自信號(hào)發(fā)生器輸入的窄脈沖激勵(lì)MOSFET的門(mén)，然后使用示波器測(cè)量門(mén)電壓和漏電壓(參見(jiàn)圖4)。

　　通過(guò)使用集成高幅度輸出階段的任意波形/函數(shù)發(fā)生器，而不是外部放大器，用戶(hù)可以直接查看MOSFET輸入電路上的有效信號(hào)幅度，而不需使用示波器測(cè)量幅度。

　　現(xiàn)在，通過(guò)示波器屏幕顯示的曲線中的光標(biāo)測(cè)量，可以方便地確定起動(dòng)時(shí)延。起動(dòng)時(shí)延是從門(mén)源電壓達(dá)到最后值10%時(shí)到漏源電壓下降到初始值90%時(shí)所需的時(shí)間。類(lèi)似的，關(guān)閉時(shí)延是從門(mén)源電壓下降到前一水平90%時(shí)到漏源電壓上升到供電電壓10%時(shí)所需的時(shí)間。為測(cè)量漏極信號(hào)的上升時(shí)間和下降時(shí)間，現(xiàn)代示波器提供了方便的自動(dòng)化測(cè)量功能。

　　 圖7 IGBT電路符號(hào)和等效電路。

　 　圖8 IGBT門(mén)驅(qū)動(dòng)電路和開(kāi)關(guān)測(cè)試電路。