近年來隨著介觀物理和納米電子學(xué)對(duì)散粒噪聲研究的不斷深入，人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內(nèi)部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會(huì)有介觀或者納米尺度的結(jié)構(gòu)，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會(huì)產(chǎn)生散粒噪聲，并且可能攜帶內(nèi)部結(jié)構(gòu)的信息。這使人們對(duì)宏觀電子元器件中散粒噪聲研究產(chǎn)生了極大的興趣。另一方面，隨著器件尺寸的不斷縮小，MOSFET器件中散粒噪聲成分也越來越顯著，已經(jīng)嚴(yán)重影響器件以及電路的噪聲水平，人們必須要了解電子元器件中散粒噪聲的產(chǎn)生機(jī)理和特性，以便更好的抑制器件的散粒噪聲，實(shí)現(xiàn)器件和電路的低噪聲化。
對(duì)于短溝道MOSFET器件，在室溫條件下，散粒噪聲被其他類型的噪聲所淹沒，一般在實(shí)驗(yàn)中很難觀察到它的存在。目前國內(nèi)外對(duì)于散粒噪聲測(cè)試技術(shù)的研究取得了快速的進(jìn)展，但是普遍存在干擾噪聲大、測(cè)試儀器價(jià)格昂貴等問題，難以實(shí)現(xiàn)普及應(yīng)用。文中所介紹的測(cè)試系統(tǒng)是在屏蔽環(huán)境下將被測(cè)器件置于低溫裝置內(nèi)，抑制了外界電磁波和熱噪聲的干擾；同時(shí)使用低噪聲前置放大器使散粒噪聲充分放大，并顯著降低系統(tǒng)背景噪聲；通過提取噪聲頻譜高頻段平均值，去除了低頻1/f噪聲的影響，使測(cè)試結(jié)果更加的準(zhǔn)確。使用本系統(tǒng)測(cè)試短溝道MOSFET器件散粒噪聲，得到了很好的測(cè)試結(jié)果。文中的工作為散粒噪聲測(cè)試提供了一種方法，對(duì)短溝道MOSFET散粒噪聲測(cè)試結(jié)果進(jìn)行了討論。

1 測(cè)試原理
對(duì)于短溝道MOSFET中散粒噪聲的測(cè)試，主要影響因素包括：外界電磁干擾、低頻1/f噪聲、熱噪聲以及測(cè)試系統(tǒng)背景噪聲等。散粒噪聲屬于微弱信號(hào)，在實(shí)際測(cè)試中外界電磁干擾對(duì)測(cè)試結(jié)果影響顯著，將整個(gè)實(shí)驗(yàn)裝置放置于電磁屏蔽環(huán)境下進(jìn)行測(cè)試，這樣就有效地抑制了外界電磁干擾。散粒噪聲和熱噪聲均屬于白噪聲，在室溫下由于熱噪聲的影響，一般很難測(cè)量到散粒噪聲的存在，因此需要最大限度降低熱噪聲的影響。在測(cè)試中將待測(cè)器件置于液氮環(huán)境中，在此溫度下器件熱噪聲相對(duì)于散粒噪聲可以忽略。對(duì)于器件散粒噪聲的測(cè)試，必須通過充分放大才能被數(shù)據(jù)采集卡所采集，所以要、求放大器要有足夠的增益，同時(shí)要求不能引入太大的系統(tǒng)噪聲，否則系統(tǒng)噪聲會(huì)淹沒所測(cè)器件的散粒噪聲，因此采用低噪聲高增益的前置放大器。對(duì)于短溝道MOSFET，其低頻1／f噪聲非常顯著，它對(duì)散粒噪聲的影響很大，由于1／f只是在低頻部分明顯，在高頻部分很小，因而可以通過提取噪聲高頻部分的平均值來降低1/f噪聲對(duì)測(cè)試的影響，使測(cè)試結(jié)果更加的準(zhǔn)確。據(jù)此，設(shè)計(jì)了一種低溫散粒噪聲測(cè)試系統(tǒng)。

2 測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)及測(cè)試方案
2．1 測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)
測(cè)試系統(tǒng)，如圖1所示，主要由偏置電路、低噪聲前置放大器、數(shù)據(jù)采集和噪聲分析系統(tǒng)組成。將所有測(cè)試設(shè)備放置于雙層金屬網(wǎng)組成的屏蔽室內(nèi)，可以有效的抑制外界電磁噪聲的干擾；測(cè)試系統(tǒng)低溫裝置是一個(gè)裝有液氮的杜瓦瓶，它可以提供77 K的測(cè)試溫度，這樣就有效的降低了熱噪聲的影響。Vcc1和Vcc2為電壓可調(diào)的低噪聲鎳氫直流電池組，分別為器件提供柵源電壓和漏源偏壓，電池組不能用直流電源代替，因?yàn)橹绷麟娫吹脑肼暠容^大。