但是，我們見到的電流減小前后并不一致。當PDA直接放在接地板上時，初始電流尖峰降低了10%。當PDA放在0.9cm絕緣層上時，初始電流尖峰減低33%(圖 4)。在20ns點，直接放在接地板上的PDA受到的沖擊要小69%，而位于絕緣層上的PDA受到的沖擊要小93%。電流減少是在沖擊狀態(tài)下給PDA充電的結果。在每次沖擊測試過程結束后，我們必須將PDA接地使它回到未充電狀態(tài)才能進行下次測量。

圖5

圖5所示原理圖可以用來很好地定量理解上述測量。150pF電容和330Ω電阻對IEC 61000-4-2兼容ESD qiang來說是標準電路元件。qiang與接地板之間的寄生電容提供了IEC 61000-4-2電流波形中包含的初始電流尖峰。這種寄生電容值只有幾個pF，在定量討論中我們可以忽略不計。

工程師將電流探頭放在放電qiang的尖端周圍，然后開始直接向接地板放電，如圖中的短線所示。對圖3中直接放電到接地板的電流在300ns時間內進行積分，可以得到1.21 μC的電量。這個電容幾乎完全等于給150pF電容充電到8kV所預測的電容量。

向PDA的放電通過一個并行平板電容表示，其中一個極板是PDA的一部分，另一個極板是接地板。在脈沖初期，PDA電容提供較低的阻抗，注入進PDA的電流近似于到地的放電電流。繼續(xù)施加脈沖，電荷在PDA到接地板電容中累積，因此PDA上的電位上升，直到PDA和接地板之間的電位和150pF電容上的電壓相等。這時，不再有電流流動，即使ESD qiang的電容還沒有完全放電。

對充電到PDA的電流進行積分，可以得到從ESD qiang轉移到PDA的電荷數量。從ESD qiang轉移到PDA的電荷量可以用來計算ESD qiang的150pF電容上剩下的電壓，然后再算出PDA上的電壓。理解這個電壓以及PDA上測到的電荷之后，就可以計算出PDA和接地板之間的電容(見表1)。