摘要：主要介紹了三極管反向偏壓安全工作區(qū)(RBSOA)測(cè)試儀的硬件結(jié)構(gòu)和相應(yīng)的軟件實(shí)現(xiàn)。該測(cè)試儀主要基于三極管的RBSOA及三極管的開關(guān)原理，并結(jié)合實(shí)際測(cè)試生產(chǎn)環(huán)境，設(shè)計(jì)了大功率電源供電電路、電流驅(qū)動(dòng)電路、電壓箝位電路、電流電壓檢測(cè)電路、單片機(jī)控制電路以及PC機(jī)的用戶界面這6大模塊。該測(cè)試系統(tǒng)采用了電感誘導(dǎo)控制電流和箝位電路限壓，成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)三級(jí)管集電極電流Ic和集電極-發(fā)射極電壓Vcc的控制；使用多點(diǎn)采樣法，實(shí)現(xiàn)了可靠的電流電壓檢測(cè)。經(jīng)過長(zhǎng)期對(duì)不同型號(hào)和同一型號(hào)不同狀況的三極管測(cè)試，成功驗(yàn)證了測(cè)試儀的性能和可靠性。
關(guān)鍵詞：三極管；反向偏壓安全工作區(qū)；電感誘導(dǎo)；鉗位電路

0 引言
箝位本文介紹的三極管反向偏壓安全工作區(qū)(Reverse-Bias Safe Operating Area，RBSOA)檢測(cè)技術(shù)是一種新型的、具有專門性、高可靠性的檢測(cè)手段，廣泛應(yīng)用于三極管性能的檢測(cè)，并得到業(yè)界的認(rèn)可。目前專門用于檢測(cè)三極管在反向偏壓安全工作區(qū)性能狀況的儀器相對(duì)較少，而在國(guó)內(nèi)還沒有這樣專門的儀器。相關(guān)的檢測(cè)儀器，如國(guó)內(nèi)的一款BJ2923晶體管測(cè)試儀，只能檢測(cè)三極管的參數(shù)，如反向電壓Vceo，Vc bo等，卻無法檢測(cè)該三極管在極限參數(shù)工作下，性能是否有下降或損壞。雖然國(guó)外也出現(xiàn)過相關(guān)的檢測(cè)儀器，如韓國(guó)的EAS2100檢測(cè)儀，專門用來檢測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)在雪崩能量下的性能狀況，操作簡(jiǎn)單，性能可靠，但是只是僅限于MOSFET檢測(cè)檢測(cè)領(lǐng)域，沒有對(duì)三極管的檢測(cè)功能?？v觀現(xiàn)有的相關(guān)檢測(cè)儀器，不是技術(shù)檢測(cè)不成熟，就是針對(duì)性不強(qiáng)，發(fā)展專門針對(duì)三極管的反向偏壓安全工作區(qū)檢測(cè)技術(shù)，勢(shì)在必行。
本文基于三極管的反向偏壓安全工作區(qū)原理，設(shè)計(jì)研發(fā)了一款由電感誘導(dǎo)的三極管RBSOA測(cè)試儀。通過反向偏壓安全工作區(qū)判斷三極管的好壞，是一種全新的檢測(cè)方法。

l 三極管RBSOA測(cè)試技術(shù)概述
1．1 RBSOA
由于負(fù)載誘導(dǎo)，在關(guān)斷三極管的時(shí)候，負(fù)載端的高電壓與大電流將同時(shí)持續(xù)存在，持續(xù)時(shí)間主要取決于發(fā)射結(jié)的反向偏壓的大小。所以在關(guān)斷時(shí)集電極的電流電壓必須控制在三極管的可承受范圍以內(nèi)，這即是晶體管的反向偏壓安全工作區(qū)，它表現(xiàn)為反偏關(guān)斷晶體管時(shí)的電流電壓值，如圖1所示。所以，RBSOA即晶體管在反向偏壓下能夠安全工作的區(qū)域。一般說來，晶體管的反向偏壓工作范圍是由其最大額定值(電壓、電流、溫度功率最大值)決定的。

在實(shí)際應(yīng)用中，功率晶體管及其他半導(dǎo)體器件在應(yīng)用中常常會(huì)受到一種被稱為“二次擊穿”現(xiàn)象的損壞，它表現(xiàn)為器件電壓自發(fā)地而且往往是突然的下降，以及突然發(fā)生內(nèi)部電流集中。電壓降低和伴隨的電流增大會(huì)造成電路故障，而內(nèi)部電流集中將會(huì)引起局部發(fā)熱，因而導(dǎo)致器件退化甚至完全失效。當(dāng)晶體管工作于RBSOA內(nèi)，則可以很好地避免“二次擊穿”的發(fā)生。
1．2 三極管RBSOA測(cè)試原理
三極管RBSOA測(cè)試的原理如圖2所示。

開關(guān)S先打到Ib1端，給測(cè)試管DUT提供正向基極Ib脈沖，使被測(cè)管導(dǎo)通。由于測(cè)試管工作于放大區(qū)，Ic=βIb，Ic上升，但由于線性電感Lc的作用，Ic隨時(shí)間線性上升，直到Ic達(dá)到預(yù)設(shè)定的值。然后將S打到Ib2端，反向抽取DUT基區(qū)的超量電荷，迫使DUT馬上關(guān)斷，加速Ic的下降。根據(jù)ε=L×dI／dt，Ic的快速下降將使電感兩端產(chǎn)生一個(gè)很高的感生電動(dòng)勢(shì)，DUT的集電極上的電位也隨之升高。當(dāng)Vce大于Vclamp時(shí)，Vce就會(huì)被箝位電路箝住，使Vce保持跟Vclamp相等。通過檢測(cè)Ic和Vclamp是否能達(dá)到預(yù)設(shè)的值(即三極管是否能在反向偏壓安全工作區(qū)內(nèi)正常工作而不被擊穿)，就可以斷定被測(cè)管是否好管。