下圖為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)中所繪制的一個(gè)簡(jiǎn)單的寫操作波形。對(duì)比上圖的讀操作波形，我們可以看出兩者時(shí)序上的區(qū)別主要在于，DDR2寫操作時(shí)DQ或DM的數(shù)據(jù)中心與DQS信號(hào)邊沿對(duì)齊，DQS前導(dǎo)信號(hào)的低脈沖長(zhǎng)度明顯減小，大約為半個(gè)時(shí)鐘周期或以下。

總體而言，可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行DDR2讀寫分離：

1.讀操作DQS跳變點(diǎn)與DQ跳變沿對(duì)齊，寫操作DQS跳變點(diǎn)對(duì)齊DQ中心。

2.讀操作DQS前導(dǎo)信號(hào)為大約一個(gè)時(shí)鐘周期，寫操作DQS前導(dǎo)信號(hào)大約為半個(gè)時(shí)鐘周期或以下。

3.比較波形峰峰值。一般情況下，在內(nèi)存控制器端測(cè)量時(shí)，寫操作峰峰值高；在內(nèi)存芯片端測(cè)量時(shí)讀操作峰峰值高。

對(duì)DDR2信號(hào)進(jìn)行精確的讀寫分離是比較困難的，原因在于讀寫時(shí)序本身比較復(fù)雜，中間涉及到內(nèi)存芯片各工作狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換、讀寫B(tài)urst、連讀連寫及Burst中斷等等各種可能因素。依靠手工分離DDR2讀寫信號(hào)不但費(fèi)時(shí)且精度不高，同時(shí)由于讀寫信號(hào)分離是DDR2很多參數(shù)測(cè)量的前提，能否正確高效的進(jìn)行讀寫分離便成為了DDR2測(cè)量的一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)。力科QPHY-DDR2軟件可以自動(dòng)對(duì)輸入示波器的大量DDR2數(shù)據(jù)及時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行分析，精確地從雙向數(shù)據(jù)線中分離出讀寫信號(hào)并進(jìn)行后續(xù)的相關(guān)參數(shù)測(cè)試，從而保證了DDR2一致性測(cè)試的精確性與高效率。

三）時(shí)序測(cè)試

時(shí)序測(cè)試部分主要對(duì)DDR2數(shù)據(jù)、時(shí)鐘及控制線上各種時(shí)序進(jìn)行測(cè)量，包括數(shù)據(jù)輸入建立/保持時(shí)間、數(shù)據(jù)輸出保持時(shí)間、數(shù)據(jù)讀/寫時(shí)DQS前導(dǎo)/后續(xù)時(shí)間、時(shí)鐘半周期寬度、DQS輸入高/低脈沖寬度等等二十余項(xiàng)參數(shù)。其中，在對(duì)數(shù)據(jù)輸入建立/保持時(shí)間（tDS、tDH）進(jìn)行測(cè)量時(shí)，JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定需要根據(jù)寫數(shù)據(jù)時(shí)的DQ及DQS信號(hào)斜率對(duì)測(cè)得的建立保持時(shí)間進(jìn)行修正。下表為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)應(yīng)DDR2 667/800的輸入建立/保持時(shí)間修正參數(shù)表。例如，寫操作時(shí)當(dāng)DQ測(cè)得的斜率為1.5V/ns，DQS斜率為3.0V/ns時(shí)，測(cè)得的DQ – DQS建立/保持時(shí)間需要加上67ps的修正值之后方能與標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的最小建立/保持時(shí)間相比較。

為了在上表中查到對(duì)應(yīng)的修正值，需要首先得出相應(yīng)信號(hào)的斜率。JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了兩種斜率計(jì)算方法，即直連斜率norminal slew rate和切線斜率tangent slew rate，分別在不同數(shù)據(jù)波形時(shí)采納。兩種斜率計(jì)算方法如下圖所示。

圖四 直連斜率norminal slew rate

圖五 切線斜率tangent slew rate

當(dāng)信號(hào)波形在陰影標(biāo)定區(qū)域內(nèi)一直早于直連斜率這根藍(lán)色直線時(shí)使用直連斜率計(jì)算并查找建立/保持時(shí)間修正值，當(dāng)信號(hào)波形在陰影標(biāo)定區(qū)域內(nèi)有任何一點(diǎn)落在直連斜率線之后時(shí)則需使用圖五所示的切線斜率計(jì)算和查找建立/保持時(shí)間修正值。

由上可知，對(duì)DDR2數(shù)據(jù)輸入建立/保持時(shí)間（tDS、tDH）測(cè)量是一件比較繁瑣且費(fèi)時(shí)的過程，而應(yīng)用力科QPHY-DDR2軟件測(cè)量時(shí)，以上的所有操作均由軟件自動(dòng)完成，這些復(fù)雜的流程對(duì)操作者完全透明，在大大減輕DDR2測(cè)試復(fù)雜度的同時(shí)提高了測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。如下圖所示，在tDS 測(cè)試時(shí)QPHY-DDR2自動(dòng)找出了對(duì)應(yīng)的67ps建立時(shí)間修正值。

力科DDR2一致性測(cè)試解決方案QPHY-DDR2

力科QPHY-DDR2測(cè)試解決方案可以對(duì)DDR2總線進(jìn)行全方位的自動(dòng)化測(cè)試，支持所有標(biāo)準(zhǔn)速率的DDR2內(nèi)存系統(tǒng)（400/533/667/800/1066M）及用戶自定義的其他DDR2工作速度，可對(duì)JEDEC組織及Intel規(guī)定的所有DDR2測(cè)試項(xiàng)目進(jìn)行測(cè)試。

QPHY-DDR2的操作非常簡(jiǎn)單，如右圖所示，它使用友好的圖形化界面引導(dǎo)用戶從探頭與被測(cè)系統(tǒng)連接開始一步步完成DDR2的所有測(cè)試。目前為止,力科DDR軟件包是能支持的測(cè)試項(xiàng)目最多的。

圖六 QPHY-DDR2 圖形化用戶界面

對(duì)于DDR2眾多的測(cè)試指標(biāo)，用戶可以在QPHY-DDR2中任意選擇測(cè)量DDR2中的某一項(xiàng)或多項(xiàng)指標(biāo)（如下圖7所示），也可以選擇一次測(cè)量所有規(guī)定的測(cè)試項(xiàng)目。測(cè)試完成后，所有的測(cè)試結(jié)果及相應(yīng)的波形均被列入到自動(dòng)生成的測(cè)試報(bào)告中（如下圖8所示），用戶可以一目了然地了解被測(cè)DDR2系統(tǒng)的各指標(biāo)性能。

圖7 測(cè)試參數(shù)選擇界面

圖8 DDR2測(cè)試報(bào)告首頁(yè)

除了完成全面的測(cè)試工作外，QPHY-DDR2還可以對(duì)DDR2讀寫波形分別繪制眼圖（如右圖9所示），方便用戶觀察被測(cè)DDR2系統(tǒng)數(shù)據(jù)線上的信號(hào)完整性并對(duì)可能出現(xiàn)的問題進(jìn)行及時(shí)觀測(cè)與調(diào)試。