熱阻測(cè)試原理與失效分析
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(4)測(cè)試規(guī)范上限設(shè)置過(guò)于嚴(yán)格
如果熱阻測(cè)試規(guī)范上限設(shè)置過(guò)于嚴(yán)格，熱阻典型值基本全部集中在測(cè)試規(guī)范的上限附近，當(dāng)芯片內(nèi)阻稍偏大或錫層稍偏上限，或空洞稍偏大(但全部在控制規(guī)范內(nèi))，熱阻就會(huì)偏大超標(biāo)。其熱阻分布如圖7所示。本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/192806.htm
(5)測(cè)試條件設(shè)置不合適
當(dāng)熱阻測(cè)試條件設(shè)置不合適時(shí)，例如：IM過(guò)于臨界，產(chǎn)品出現(xiàn)一點(diǎn)波動(dòng)時(shí)，熱阻可能會(huì)出現(xiàn)“虛高”。通過(guò)調(diào)整IM參數(shù)，“虛高”的產(chǎn)品和正常產(chǎn)品，用調(diào)整后的程序測(cè)試，會(huì)得到基本一致的熱阻值。數(shù)據(jù)如表3所示，其熱阻分布如圖8所示。
(6)測(cè)試環(huán)境
如果測(cè)試環(huán)境的溫度較高，或散熱能力差，會(huì)影響到產(chǎn)品的散熱。所以當(dāng)產(chǎn)品熱阻測(cè)試失效時(shí)，首先要確認(rèn)測(cè)試環(huán)境是否存正常的測(cè)試規(guī)范內(nèi)，然后冉進(jìn)行其他方面的進(jìn)一步分析。
(7)錫層厚度、傾斜度對(duì)熱阻的影響程度
取T0—220產(chǎn)品BT137—600調(diào)試不同的錫層，同時(shí)保證空洞一致，測(cè)試空洞是在0．2％～0．6％之間，然后一對(duì)一測(cè)試熱阻。熱阻測(cè)試值隨錫層厚度增加而升高，但升高幅度很小，和錫層傾斜度(在40um以內(nèi))關(guān)系不大(見(jiàn)圖9)。錫層厚度的影響如圖10所示。
3 結(jié)束語(yǔ)
本文闡述了熱阻的概念、測(cè)試原理、大效模式及對(duì)應(yīng)的原因分析，同時(shí)將各類(lèi)失效模式，利用SPC技術(shù)，轉(zhuǎn)換成圖表，更加清晰明了。
評(píng)論