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            EEPW首頁(yè) > 嵌入式系統(tǒng) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

            基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

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            作者:葉振榮 王烈洋 時(shí)間:2013-11-27 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              芯片擦除操作

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/192739.htm

               的擦除操作是以塊為基礎(chǔ)進(jìn)行的。只有已擦除的塊才能編程,因?yàn)?a class="contentlabel" href="http://www.biyoush.com/news/listbylabel/label/NAND">NAND 芯片的工藝特性決定了,芯片的CELL只能由1寫(xiě)成0,而不能由0寫(xiě)成1。芯片的擦除操作有2個(gè)命令周期和3個(gè)地址周期構(gòu)成,其中列地址不需要輸入,并且行地址的頁(yè)地址也不會(huì)影響塊擦除效果,即塊擦除地址只有塊地址有效,操作時(shí)序及流程圖如圖5所示。

              芯片頁(yè)讀操作

              頁(yè)讀操作通過(guò)將00h指令寫(xiě)入指令,接著寫(xiě)入5個(gè)地址(2個(gè)列地址,3個(gè)行地址),最后寫(xiě)入30h指令來(lái)啟動(dòng)。一旦頁(yè)讀指令被器件鎖存,下面的頁(yè)讀操作就不需要再重復(fù)寫(xiě)入指令了。

              寫(xiě)入指令和地址后,處理器可以通過(guò)對(duì)信號(hào)線R/ 的分析來(lái)判斷該操作是否完成。如果信號(hào)為低電平,表示器件正“忙”;為高電平,說(shuō)明器件內(nèi)部操作完成,要讀取的數(shù)據(jù)被送入了數(shù)據(jù)。外部控制器可以在以50ns為周期的連續(xù) 脈沖信號(hào)的控制下,從I/O口依次讀出數(shù)據(jù)。

              連續(xù)頁(yè)讀操作中,輸出的數(shù)據(jù)是從指定的列地址開(kāi)始,直到該頁(yè)的最后一個(gè)列地址的數(shù)據(jù)為止。操作時(shí)序及流程圖如圖6所示。

              芯片頁(yè)編程操作

              VDNF64G08芯片的寫(xiě)入操作也以頁(yè)為單位。寫(xiě)入之前必須先擦除,否則寫(xiě)入將出錯(cuò)。

              頁(yè)寫(xiě)入周期總共包括3個(gè)步驟:寫(xiě)入串行數(shù)據(jù)輸入指令(80h),然后寫(xiě)入5個(gè)字節(jié)的地址信息,最后串行寫(xiě)入數(shù)據(jù)。

              串行寫(xiě)入的數(shù)據(jù)最多為4096字節(jié),它們首先被寫(xiě)入器件內(nèi)的頁(yè),接著器件進(jìn)入一個(gè)內(nèi)部寫(xiě)入過(guò)程,將數(shù)據(jù)從頁(yè)寄存器寫(xiě)入存儲(chǔ)宏單元。

              串行數(shù)據(jù)寫(xiě)入完成后,需要寫(xiě)入“頁(yè)寫(xiě)入確認(rèn)”指令10h,這條指令將初始化器件的內(nèi)部寫(xiě)入操作。如果單獨(dú)寫(xiě)入10h而沒(méi)有前面的步驟,則10h不起作用。10h寫(xiě)入之后,內(nèi)部寫(xiě)控制器將自動(dòng)執(zhí)行內(nèi)部寫(xiě)入和校驗(yàn)中必要的算法和時(shí)序,這是系統(tǒng)控制器就可以去做別的事了。

              內(nèi)部寫(xiě)入操作開(kāi)始后,器件自動(dòng)進(jìn)入“讀狀態(tài)寄存器”模式,在這一模式下,當(dāng)RE/CE為低電平時(shí),系統(tǒng)就可以讀取狀態(tài)寄存器。系統(tǒng)可以通過(guò)檢測(cè)R/B 的輸出,或讀狀態(tài)寄存器的狀態(tài)位(I/O7)來(lái)判斷內(nèi)部寫(xiě)入是否結(jié)束。在器件進(jìn)行內(nèi)部寫(xiě)入操作時(shí),只有讀狀態(tài)寄存器指令和復(fù)位指令會(huì)被響應(yīng)。當(dāng)頁(yè)寫(xiě)入操作完成,應(yīng)該檢測(cè)寫(xiě)狀態(tài)位(I/O1)的電平。

              內(nèi)部寫(xiě)校驗(yàn)只對(duì)1沒(méi)有成功地寫(xiě)為0的情況進(jìn)行檢測(cè)。指令寄存器始終保持著讀狀態(tài)寄存器模式,直到其它有效的指令寫(xiě)入指令寄存器為止。操作時(shí)序及流程圖如圖7所示。

              結(jié)束語(yǔ)

              VDNF64G08是一個(gè)快速、高存儲(chǔ)密度的隨機(jī)訪問(wèn)。整個(gè)模塊采用堆疊技術(shù),它們之間的互相連接線非常短,寄生電容小。在研發(fā)初期理論論證和生產(chǎn)之后的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明,這種芯片非常適用于高速、高性能、高容量的系統(tǒng)中,并得到用戶的好評(píng)。

              參考文獻(xiàn):
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