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            Vishay推出新款超小外形的高速紅外發(fā)光二極管

            —— 高速器件采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm SMD側(cè)視封裝和GaAIAs表面發(fā)射器以及MQW技術(shù) 發(fā)光強(qiáng)度達(dá)到82mW/sr
            作者: 時(shí)間:2013-11-16 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              2013 年 11 月7 日, Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm透明SMD側(cè)視封裝的新款940nm高速紅外發(fā)光---VSMY14940和VSMB14940。這兩款器件基于GaAIAs表面和多量子井(MQW)技術(shù),具有高發(fā)光強(qiáng)度和光功率,以及快速的開(kāi)關(guān)時(shí)間。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/189362.htm

               Semiconductors的VSMY14940和VSMB14940高度極低,半強(qiáng)角只有±9°,非常適合空間受限的終端產(chǎn)品中的遙控應(yīng)用,如智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備。另外,這些器件還可以用作光柵和煙霧探測(cè)器的高強(qiáng)度。

              基于GaAIAs表面芯片技術(shù),VSMY14940在70mA驅(qū)動(dòng)電流下實(shí)現(xiàn)了82mW/sr的極高發(fā)光強(qiáng)度,10ns的快速開(kāi)關(guān)時(shí)間,以及1.48V的正向電壓。在需要較低發(fā)光強(qiáng)度的應(yīng)用里,采用GaAIAs MQW的VSMB14940能夠提供35mW/sr的發(fā)光強(qiáng)度,15ns的開(kāi)關(guān)時(shí)間和低至1.33V的正向電壓。

              當(dāng)下推出的發(fā)光符合RoHS和 Green標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵素,無(wú)鉛,可采用溫度達(dá)260℃的無(wú)鉛焊接。器件可以在車(chē)間里存放168小時(shí),潮濕敏感度等級(jí)(MSL)達(dá)到J-STD-020規(guī)定的3級(jí)。

              器件規(guī)格表:

            型號(hào)

            VSMY14940

            VSMB14940

            技術(shù)

            GaAIAs, 表面發(fā)射器

            GaAIAs, MQW

            發(fā)光強(qiáng)度 (mW/sr)

            82

            35

            發(fā)光功率 (mW)

            40

            28

            正向電壓 (V)

            1.48

            1.33

            開(kāi)關(guān)時(shí)間 (ns)

            10

            15

              新紅外發(fā)光現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為六周到八周。

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