11月11日下午，第十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(CHINASSL2013)正式拉開帷幕。在開幕式的論壇環(huán)節(jié)中，獲得全球半導(dǎo)體照明突出貢獻獎之一的藍光、綠光和白光LED發(fā)明人，美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二先生為在場嘉賓和代表們作了題為“下一代半導(dǎo)體照明”的精彩報告。

　　中村修二首先對第一代LED和第二代LED進行了對比，第一代是在碳化硅和硅基底上的LED，而第二代LED則是基于氮化鎵基底，二者比較而言，用氮化鎵做基底的第二代LED較第一代有很大的提高，如電流密度、溫度都有很大提高。“在性能方面，我們采用非極化和半極化的方式進行研究，并在2007年有了更大的突破，可以實現(xiàn)降低50%成本，發(fā)光率則增長50%。”

　　中村修二進一步表示，氮化鎵基底沒有以往那些晶體的缺陷，不僅能提高電流密度，還可以使散熱增加0.4%～0.5%，因此用氮化鎵做基底的LED將更加明亮。除此之外，用氮化鎵還能減少LED的數(shù)量，做出非常漂亮的點光源，并可以達到75W鹵素?zé)舻乃?，而且輸入功率只?2W，“我們也將其稱之為激光燈，未來將非常有潛力，主要原因在于激光燈的效率非常高，電流效率是10～100A/cm2，而且芯片非常小。”

　　最后，中村修二強調(diào)指出，氮化鎵比藍寶石基底的LED更好，而且成本也有所下降，能夠滿足現(xiàn)有LED技術(shù)要求，其電流密度可比以前增加10倍，照明質(zhì)量更高。同時，使用氮化鎵還可以采用非極化和半極化的平面，以提高它的效率。“下一代半導(dǎo)體照明很可能是激光照明，雖然目前還沒有大規(guī)模使用，但LED燈與激光燈比較，效率下降小、電流密度增加許多，所以激光照明會是未來的一個發(fā)展趨勢。”中村修二表示。