為提高電路設(shè)計(jì)成功率，采用電磁場(chǎng)分析對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行分析和修正。電路中除開(kāi)關(guān)器件外其他元件采用電磁場(chǎng)結(jié)果進(jìn)行設(shè)計(jì)，以此來(lái)保障電路設(shè)計(jì)的性能。

2 電路的工藝實(shí)現(xiàn)與制作
采用InGaP作為腐蝕阻斷層，提高柵挖槽的均勻性。寬帶單片低插入損耗SPST開(kāi)關(guān)電路采用高性能的GaAs MBE材料，開(kāi)關(guān)器件柵長(zhǎng)為0．25 μm。器件柵上淀積氮化硅膜進(jìn)行鈍化以保護(hù)柵，同時(shí)單片電路的可靠性得到增強(qiáng)。
GaAs MMIC工藝主要步驟為：材料檢測(cè)→臺(tái)面光刻→離子注入隔離→源漏歐姆接觸制作→柵光刻→柵挖槽→柵金屬化→鈍化→一次金屬制作→鈍化→二次金屬互連→背面減薄→背面通孔→背面金屬化→分片。
本單片電路中的無(wú)源元件主要是微帶傳輸線，微帶傳輸線的形貌對(duì)開(kāi)關(guān)的性能會(huì)產(chǎn)生影響，在工藝加工過(guò)程中要嚴(yán)格控制電鍍工藝。同時(shí)，版圖設(shè)計(jì)過(guò)程中，避免工藝加工過(guò)程暴露GaAs材料，導(dǎo)致電化學(xué)效應(yīng)。

3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
寬帶單片SPST開(kāi)關(guān)芯片的芯片面積為1．1 mm2。圖6是兩種不同通孔連接方式的芯片照片。

本電路測(cè)試采用微波在片測(cè)試，插入損耗、隔離度和開(kāi)態(tài)駐波比測(cè)試結(jié)果見(jiàn)圖7。圖7(a)、(c)、(e)為雙接地孔測(cè)試結(jié)果，圖7(b)、(d)、(f)為單接地孔測(cè)試結(jié)果。

從圖7可知，通孔電感對(duì)SPST開(kāi)關(guān)的高頻性能有較大的影響，尤其是插入損耗和駐波特性等指標(biāo)。合理的增加通孔數(shù)量對(duì)提高電路性能有明顯的作用。通常，通孔對(duì)地的寄生電感量為二十幾皮亨，當(dāng)兩個(gè)通孔對(duì)地并聯(lián)時(shí)，電感值減小近50％。

4 結(jié)語(yǔ)
本項(xiàng)目中采用專用TRL校準(zhǔn)圖形進(jìn)行儀器校準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)傳輸特性的相位歸零，從而獲得更高精度的器件模型精度。同時(shí)，分析了兩種情況的通孔形式對(duì)高頻微波性能的影響，實(shí)驗(yàn)取得滿意的結(jié)果。