式中：μN(TNOM)為標稱溫度下的遷移率；UTE為μN的溫度系數，典型值一般在-2．0～-1．5之間。由于遷移率弘N是溫度的非線性函數，所以很難利用MOS特性產生精確的基準電壓。一種方法是利用晶體管產生PTAT電壓進行補償。但是，PTAT電壓恒定的溫度系數使得基準電壓只能在一個固定的溫度點上產生零溫度系數的基準電壓。因此，在該設計中，為了克服遷移率非線性的影響，通過兩個分別與PMOS和NMOS閾值電壓成正比的電壓相減而進行抵消。
2．2 設計原理
圖2為該基準電路的設計原理圖。

如圖2所示，首先產生兩路分別與PMOS和NMOS閾值電壓成正比的電壓VP和VN，通過設置合理的系數K1，K2，使得兩者的溫度系數相抵消，從而得到低溫度系數或零溫度系數的基準電壓。產生的基準電壓表達式如式(7)所示：

并且該電壓值可以根據要求進行設置。
圖3為該設計原理的模塊示意圖。模塊1為電壓VP的產生電路；模塊2為電壓VN的產生電路；VP與VN再通過模塊3所示的減法器電路進行相減，使得兩者的溫度系數相抵消，從而得到零溫度系數的基準電壓Vref。

2．3 基于PMOS閾值電壓產生VP電路設計
如圖3中模塊1所示，VP是由PMOS管MP1，MP2產生的一個隨溫度變化的線性電壓。運放A1使MP2的漏極電壓等于Va，通過適當調整R1和R2阻值，使得MP1工作在飽和區(qū)，MP2工作在線性區(qū)。電路中MP1與MP2形成正反饋，而R1與R2形成負反饋，且負反饋的作用大于正反饋?？梢钥闯?，在產生線性電壓VP的過程中，當VP為0時，流過MP1，MP2電流為0，即存在一個零點。所以增加MOS管MP3作為啟動管，通過給MP3的源端提供一個啟動電壓VST1來使其脫離零點，進入正常工作。當VP=0 V時，MP3導通，并向MP1灌人電流，使得MP1的源極電壓升高，從而運放A1開始工作。當正常工作后，MP3關斷，降低功耗。由于啟動電壓VST1并沒有精確的要求，所以可以直接從輸入電壓分壓得到。
從圖3中模塊1中分析可以得到，經過MP1，MP2的電流分別為：