選擇輸出電容應(yīng)考慮到兩點(diǎn)。一是輸出電容的容值；二是輸出電容的等效串聯(lián)電阻（ESR）。電容應(yīng)具有一定的容值，以確保輸出的穩(wěn)定。ESR 必須足夠低，以降低輸出電壓的紋波。參考公式2。輸出電容的ESR大小取決于能接受的輸出紋波電壓。降壓控制器的紋波電壓大小大約等于輸出電容的ESR乘以電感的紋波電流。
實(shí)際選取電容時(shí)，除了與滿足低ESR要求所需要的物理尺寸有關(guān)外，還與電容器的化學(xué)類型有關(guān)。因此，通常在選擇電容時(shí)，首先應(yīng)考慮的是ESR和額定電壓值，而不是容值的大小（這一原則是用于鉭、OS-CON和其他類型的電解電容）。

(2)

同時(shí)，電容的ESR還不能太低，必須保證ESR足夠高以滿足穩(wěn)定性的要求，還應(yīng)保證ESR零點(diǎn)遠(yuǎn)低于開關(guān)頻率。鑒于陶瓷電容的低ESR特性，很多應(yīng)用中都推薦采用。

3 輸入電容的選擇

輸入電容可以降低電源側(cè)的電流尖峰以及IC的開關(guān)噪聲。輸入電容的阻抗應(yīng)盡可能小。建議采用陶瓷電容，因?yàn)樘沾呻娙菥哂泻苄〉某叽缫约昂艿偷腅SR。

4 整流二極管

對于非同步整流的DC/DC轉(zhuǎn)換器，整流二極管的壓降上將產(chǎn)生比較大的功率損耗，因此，為了提高效率，應(yīng)該選擇具有超低正向壓降的肖特基二極管。

圖2 MAX8640Z針對手機(jī)應(yīng)用中SDRAM供電的應(yīng)用電路

圖2給出了MAX8640Z針對手機(jī)應(yīng)用中SDRAM供電的應(yīng)用電路，該電路設(shè)計(jì)能夠輸出1.8V電壓，可提供100mA的最大輸出電流。電容選擇Taiyo Yuden的LB1608T1R0M或LBMF1608T1R0M，輸入/輸出電容選擇TDK的C1005X5R0J105K，所有器件所占的總面積等于 2mm×2.1mm（SC70的尺寸）+1.6mm×0.8mm（電感的尺寸）+2×1.0mm×0.5mm（輸入/輸出電容的尺寸）=6.48mm2，比現(xiàn)有解決方案節(jié)省超過25%的面積。

結(jié)論

DC/DC轉(zhuǎn)換器的外圍元件選取，直接關(guān)系到電路的電氣性能（包括電壓輸出紋波、輸出帶載能力、功耗）、體積、成本等多方面因素。因此必須在設(shè)計(jì)初期就應(yīng)該對電源的要求有清晰的了解，為設(shè)計(jì)留下充足的余量。