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            高性能CMOS集成電壓比較器設(shè)計(jì)

            作者: 時(shí)間:2009-08-25 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            1.2 鎖存比較電路
            鎖存比較電路是整個(gè)比較器的核心部分,它應(yīng)能區(qū)分毫伏量級(jí)的輸入信號(hào)差。如圖2中第二部分所示, M17,M18交叉互連實(shí)現(xiàn)正反饋,以提高比較電路的增益。利用前級(jí)預(yù)放大器的輸出,控制鎖存器輸入電流I+,I_的變化,若I_遠(yuǎn)大于I_,則M16和 M18導(dǎo)通,Vout-△0,Uout+=(2L16I+/WμnCox)+VTHN;若I_增大而I+減小,M18的漏一源電壓升高,當(dāng)高到M17的 VTHN時(shí),M17導(dǎo)通,此時(shí)M17管開始抽取原來流過M16管的電流,這會(huì)使M16管的漏一源電壓下降,并導(dǎo)致M18管截止,電路的輸出狀態(tài)發(fā)生轉(zhuǎn)換。當(dāng)I-增大到一定程度時(shí)會(huì)導(dǎo)致M18進(jìn)入飽和區(qū),此時(shí)臨界電流值I-=(I+)(W17μnCox/L17)/(W16μnCox/L16),該電流臨界點(diǎn)也是輸出電壓發(fā)生轉(zhuǎn)換的臨界點(diǎn)。同理可得,當(dāng)I+增大時(shí),發(fā)生轉(zhuǎn)換的電流臨界點(diǎn)I+=(I-)(W17μnCox/L17)/ (W16μCox/L16)。
            該鎖存比較器發(fā)生轉(zhuǎn)換時(shí)的輸入電壓差為1.37 mV。從鎖存器的瞬態(tài)特性可以看出,在輸入信號(hào)發(fā)生跳變時(shí),通過比較輸入信號(hào)和2.5 V參考信號(hào),鎖存比較器給出兩個(gè)向相反方向變化的輸出信號(hào),實(shí)現(xiàn)了比較功能。
            1.3 輸出緩沖驅(qū)動(dòng)級(jí)
            輸出緩沖驅(qū)動(dòng)級(jí)(又稱后放大器)的主要作用是把鎖存比較電路的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)化成邏輯電平(0 V或5 V)。如圖2中第三部分所示,M8,M10,M11,M13,M14,M15組成差分自偏置電路,它能吸人和供出較大的電流,使比較器在驅(qū)動(dòng)大的容性負(fù)載時(shí)速度不受擺率的限制。M9,M12組成一個(gè)反相器,用作附加的增益級(jí),同時(shí)實(shí)現(xiàn)負(fù)載電容和自偏置差分放大器之間的隔離。要使輸出緩沖級(jí)工作在線性區(qū),輸入信號(hào)的幅度一般要在1~3.5 V之間,所以在電路中串入M26管來提升鎖存器輸出電壓的幅值。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/188716.htm

            2 電路仿真
            在5 V電源的電壓下,Vin-端加2.5 V參考信號(hào),在Cadence軟件平臺(tái)下用Spec-tre工具對基于CSMC 0.5 μm工藝模型的電路進(jìn)行仿真,得到比較器的增益、帶寬、上升延時(shí)、下降延時(shí)、輸入共模范圍如圖3所示。

            用Cadence自帶的Dracula工具對版圖進(jìn)行驗(yàn)證,通過設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC),該版圖符合CSMC0.5μm工藝的相關(guān)設(shè)計(jì)規(guī)則。通過電路圖和版圖的對照(LVS),版圖中的器件及器件間的連接情況與電路圖中相一致,保證了該版圖是圖2所示電路圖的物理掩模圖形集。此外,在做完DRC和 LVS后,版圖的電氣規(guī)則檢查(ERC)也同時(shí)完成了,這是Dracula工具的一個(gè)
            主要特點(diǎn)。ERC報(bào)告顯示該版圖中無短路、斷路等電氣規(guī)則錯(cuò)誤。

            4 結(jié) 語
            在CSMC O.5μm 工藝條件下,采用預(yù)放大器、鎖存比較電路和輸出緩沖級(jí)級(jí)聯(lián)的鎖存比較電路結(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)了一個(gè)高速、高精度的高,它具有低輸入失調(diào)電壓、低功耗的特點(diǎn)。完成從電路原理圖設(shè)計(jì)到版圖設(shè)計(jì)和驗(yàn)證(DRC,LVS)以及工藝角仿真和分析的整個(gè)設(shè)計(jì)流程。從仿真結(jié)果可以看出,這一高適用于高速A/D轉(zhuǎn)換器、高速數(shù)據(jù)傳輸器及高切換功率調(diào)節(jié)器等設(shè)備中。3 版圖設(shè)計(jì)
            電路的版圖是芯片在實(shí)際制作時(shí)物理掩模圖形的集合,是從電路原理圖到實(shí)際芯片的關(guān)鍵過渡環(huán)節(jié)。版圖的設(shè)計(jì)直接影響著芯片的最終性能。模擬電路版圖的設(shè)計(jì)要求更高,它不僅有技術(shù)成分,還需要許多藝術(shù)性的布局和走線。
            基于CSMC 0.5μm CMOS(N-Well硅柵)工藝設(shè)計(jì)的集成版圖如圖4所示。其中電阻為制作在N-well中的P+擴(kuò)散條;MOS管為NORMAL器件,其溝道寬長為多晶硅柵覆蓋有源區(qū)部分的寬長。包圍有源區(qū)的N+diff和P+diff,用來表明管子是NMOS管,還是PMOS管,版圖面積為57μm×69 μm。



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            關(guān)鍵詞: CMOS 性能 集成 電壓比較器

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