為了實現(xiàn)上述電路功能，設置CCCII±中的偏置電流Ibi=6．0μA，偏置電壓VDD=-VSS=1．85 V，PMOS的寬和長分別為W=3μm，L=2μm；NMOS的寬和長分別為W=3μm，L=4μm。
設置OTA中的偏置電流Ibp=5．5μA，偏置電壓VDD=-VSS=1．85 V，PMOS與NMOS的寬長是W=4 μm，L=2μm。
作為一個設計例子，將低通、高通、帶通、帶阻和全通的中心頻率設置為10 kHz，設置電路電容為C1=C2=C3=10-9F，仿真結果如圖5、圖6所示。其中，圖5為低通、高通、帶通、帶阻波形。圖6為調節(jié)CCCII中偏置電流Ibi，使其分別為3μA，6μA，12μA，24μA下所得到的低通波形圖像。

由表1，表2可以看出，改變電路品質因數(shù)Q的值，可以通過兩種方法實現(xiàn)，即調節(jié)電路和改變硬件。對于電路的調節(jié)，可以給定C1=C2=C3=1×10-9F，只需調節(jié)OTA1的偏置電流，進而改變跨導的大小，以此表達改變品質因數(shù)的目的。另外一種是通過改變C1的大小來改變品質因數(shù)。圖7，圖8分別以帶通和帶阻來實現(xiàn)上述功能。

5 結 語
這里提出一種新穎的MO-OTAS和CCCII相結合的二階多功能電流模式濾波器，所設計的濾波器頻率可調，只需適當調節(jié)CCCII的偏置電流，即可達到調節(jié)CCCII內部電阻RX，使得濾波器的調諧能力大大提高。另外，還提出了兩種改變品質因數(shù)的方法，通過實驗證明了中心頻率與品質因數(shù)之間的相互獨立性，而且由于沒有使用浮地電容，便于實現(xiàn)集成。且ω0，Q對無源元件靈敏度低。仿真結果驗證了它在較寬的頻率范圍內表現(xiàn)良好。