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            無需緩沖器的反激式轉(zhuǎn)換器技術(shù)

            作者: 時間:2009-12-09 來源:網(wǎng)絡 收藏

            所有PWM轉(zhuǎn)換器都有寄生元件,可導致必須適當抑制的振鈴波形。不這樣做,半導體元件就可能失效,噪聲水平將比要求的更高。本文將介紹用于備受青睞的的最常用的RCD箝位電路,及其設計公式。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/188471.htm

            沒有,反激式變壓器振鈴的漏感會隨電路中的雜散電容產(chǎn)生,生產(chǎn)大幅度高頻波形,如圖所示1。

            許多應用筆記和設計沒有解決這個問題,忽略了振鈴波形和轉(zhuǎn)換器的運行。有兩個問題:首先,在FET漏極有過大的電壓,可能導致雪崩擊穿并最終導致器件故障。其次,振鈴波形將成為輻射和傳導到整個電源、負載和電子系統(tǒng),引起噪聲問題甚至邏輯錯誤。振鈴頻率還將以輻射和傳導EMI是形式表現(xiàn)為EMI頻譜的峰值。

            在大多數(shù)設計中,這是不可接受的,必須增加電路元件抑制振鈴(使用一個RC),或者箝制電壓(用RCD箝位),或者兩個都用。這些網(wǎng)絡的設計是測量和分析的結(jié)合,可以確保耐用和可靠的效果。

            的初級RCD箝位

            圖2給出了一個RCD箝位電路,當一個RC不足以有效防止開關(guān)過壓時,它可用來限制FET漏極的峰值電壓。一旦漏極電壓超過箝位電容器電壓,RCD箝位即靠吸收漏感電流工作。采用一個比較大的電容器可保持一個開關(guān)周期的電壓恒定。

            RCD箝位的電阻器總會浪費功率。即使在轉(zhuǎn)換器上有很小的負載,電容器都將進行充電高達從轉(zhuǎn)換器次級反射的電壓,即vf。由于負載增加,更多能量將流入電容器,而電壓將提高更多,即vx,它在理想的方波反激電壓之上。該波形定義了這些電壓,如圖2所示。

            設計步驟1――測量漏感

            重要的是測量反激式變壓器的漏感,然后再設計緩沖器。不要不只猜測電感值,而是要明白磁性元件制造商的最差規(guī)格對設計來說經(jīng)常不夠精確。另外,漏感是頻率相關(guān)的,必須在適當?shù)念l率值進行測量。

            設計步驟2――確定峰值箝位電壓

            現(xiàn)在必須決定功率MOSFET可以容許多少電壓,并計算在箝位電平條件下箝位將耗散的功率量。與漏感L相關(guān)的功率,及關(guān)斷時的當前最差電流Ip可以表示為:

            公式1

            對RCD緩沖器的分析出現(xiàn)在論文和大量應用筆記當中。假設沒有雜散電容要充電,所有泄漏能量都被傳導到來自漏感的緩沖電容器。假定電容器足夠大,其邏輯值在在一次開關(guān)周期期間沒有顯著變化。


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