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            高壓懸浮驅(qū)動電路IR2110的特點及拓展應用技術

            作者: 時間:2010-03-18 來源:網(wǎng)絡 收藏
            0 引言

            功率變換裝置中的功率開關器件,根據(jù)主電路的不同,一般可采用直接驅(qū)動和隔離驅(qū)動兩種方式。其中隔離驅(qū)動可分為電磁隔離和光電隔離兩種。光電隔離具有體積小,結構簡單等優(yōu)點,但同時存在共模抑制能力差,傳輸速度慢的缺點。快速光耦的速度也僅有幾十kHz。電磁隔離用脈沖變壓器作為隔離元件,具有響應速度快(脈沖的前沿和后沿),原副邊的絕緣強度高,dv/dt共模干擾抑制能力強等特點。但信號的最大傳輸寬度有受磁飽和特性的限制,因而信號的頂部不易傳輸。而且最大占空比被限制在50%。同時信號的最小寬度也要受磁化電流的限制。同時脈沖變壓器體積也大,而且笨重,工藝復雜。

            凡是隔離驅(qū)動方式,每路驅(qū)動都需要一組輔助電源,若是三相橋式變換器,則需要六組,而且還要互相,因而增加了電路的復雜性。隨著驅(qū)動技術的不斷成熟,現(xiàn)已有多種集成厚膜驅(qū)動器推出。如EXB840/841、EXB850/851、M57959L/AL、M57962L/AL、HR065等等,它們均采用的是光耦隔離,而光耦隔離仍受到上述缺點的限制。

            而美國公司生產(chǎn)的驅(qū)動器則兼有光耦隔離(體積小)和電磁隔離(速度快)的優(yōu)點,是中小功率變換裝置中驅(qū)動器件的首選品種。

            1 的結構特點

            IR采用HVIC和閂鎖抗干擾CMOS工藝制造,DIP14腳封裝。該器件具有獨立的低端和高端輸入通道。其電源采用自舉電路,高端工作電壓可達500 V,dV/dt=±50 Wns,15 V下的靜態(tài)功耗僅116 mW。IR2110的輸出端f腳3,即功率器件的柵極驅(qū)動電壓)電壓范圍為10~20 V,邏輯電源電壓范圍(腳9)為5~15 V,可方便地與TTL、CMOS電平相匹配,而且邏輯電源地和功率地之間允許有±5 V的偏移量;此外,該器件的工作頻率可達500 kHz,而且開通、關斷延遲小(分別為120 ns和94 ns),圖騰柱輸出峰值電流為2 A。

            IR2110的內(nèi)部功能框圖如圖1所示。由圖可見,它由邏輯輸入、電平平移及輸出保護三個部分組成。IR2110可以為裝置的設計帶來許多方便,尤其是高端自舉電源的成功設計,可以大大減少驅(qū)動電源的數(shù)目。

            2自舉元器件的選擇

            圖2所示是基于IR2110的半橋。其中的自舉二極管VD1和電容C1是IR2110在大功率脈寬調(diào)制放大器應用時需要嚴格挑的元器件,應根據(jù)一定的規(guī)則進行計算分析。在電路實驗時,還要進行一些調(diào)整,以使電路工作在最佳狀態(tài)。


            2.1 自舉電容的設計

            IGBT和PM(POWER MOSFET)具有相似的門極特性,它們在開通時都需要在極短的時間內(nèi)向門極提供足夠的柵電荷。假定在器件開通后,自舉電容兩端的電壓比器件充分導通所需要的電壓(10 V,高壓側鎖定電壓為8.7/8.3 V)要高,而且在自舉電容充電路徑上有1.5 V的壓降(包括VD1的正向壓降),同時假定有1/2的柵電壓(柵極門檻電壓VTH通常3~5 V)因泄漏電流引起電壓降。那么,此時對應的自舉電容可用下式表示:

            例如IRF2807充分導通時所需要的柵電荷Qg為160 nC(可由IRF2807電特性表查得),Vcc為15V,那么有:

            這樣C1約為0.1 μF,設計中即可選取C1為0.22μF或更大,且耐壓大于35 V的獨石電容。

            2.2懸浮驅(qū)動的最寬導通時間ton(max)確定

            當最長的導通時間結束時,功率器件的門極電壓Vgs仍必須足夠高,即必須滿足式(1)的約束關系。對于MOSEFT,因為絕緣門極輸入阻抗比較高,假如柵電容(Cgs)充電后,在Vcc為15 V時有15μA的漏電流(IgQs)從C1中抽取,若仍以本文的自舉電容設計的參數(shù)為例,Qg=160 nC,△U=Vcc-10-1.5=3.5 V,Qavail=△UC=3.5x0.22=0.77μC。則過剩電荷△Q=0.77-0.16=0.61 μC,△Uc=△Q/C=0.61/0.22=2.77 V,因此可得Uc=10+2.77=12.77 V。由U=Uc及柵極輸入阻抗R為1 MΩ,即可求出t(即ton(max)為:



            2.3懸浮驅(qū)動的最窄導通時間ton(min)確定

            在自舉電容的充電路徑上,分布電感將會影響充電的速率。下管的最窄導通時間應保證自舉電容能夠有足夠的電荷,以滿足Gge所需要的電荷量加上功率器件穩(wěn)態(tài)導通時漏電流所失去的電荷量。因此從最窄導通時間ton(min)考慮,自舉電容應足夠小。

            實際上,在選擇自舉電容大小時,應當綜合考慮,既不能大到影響窄脈沖的驅(qū)動性能,但也不能太小。


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