（a）、(b)為TTL器件組成的晶體振蕩電路；

（c）、(d)為CMOS器件組成的晶體振蕩電路， 一般用于電子表中，其中晶體的f0=32768Hz。

圖12－4（c）中，門1用于振蕩，門2用于緩沖整形。Rf是反饋電阻，通常在幾十兆歐之間選取， 一般選22MΩ。R起穩(wěn)定振蕩作用，通常取十至幾百千歐。C1是頻率微調(diào)電容器，C2用于溫度特性校正。

二、實驗?zāi)康?/b>

1、掌握使用門電路構(gòu)成脈沖信號產(chǎn)生電路的基本方法
2、掌握影響輸出脈沖波形參數(shù)的定時元件數(shù)值的計算方法
3、學(xué)習(xí)石英晶體穩(wěn)頻原理和使用石英晶體構(gòu)成振蕩器的方法

三、 實驗設(shè)備與器件

1、+5V直流電源

2、雙蹤示波器

3、數(shù)字頻率計

4、74LS00（或CC4011） 晶振32768Hz 　 電位器、電阻、電容若干。

四、實驗內(nèi)容

1、 用與非門74LS00按圖12－1構(gòu)成多諧振蕩器，其中R為10KΩ電位器，C為0.01µf。
（1） 用示波器觀察輸出波形及電容C兩端的電壓波形，列表記錄之。
（2） 調(diào)節(jié)電位器觀察輸出波形的變化，測出上、下限頻率。
（3） 用一只100µf電容器跨接在74LS00 14腳與7腳的最近處，觀察輸
出波形的變化及電源上紋波信號的變化，記錄之。
2、 用74LS00按圖12－2接線，取R＝1KΩ，C＝0.047µf，用示波器觀察輸出波形，記錄之。
3、 用74LS00按圖12－3接線，其中定時電阻RW用一個510Ω與一個1KΩ的電位器串聯(lián)，取R＝100Ω，C＝0.1uf。
（1） RW調(diào)到最大時，觀察并記錄A、B、D、E及v0各點電壓的波形，測出
v0的周期T和負(fù)脈沖寬度（電容C的充電時間）并與理論計算值比較。
（2） 改變RW值，觀察輸出信號v0波形的變化情況。
4、 按圖12－4（c）接線，晶振選用電子表晶振32768Hz，與非門選用CC4011，用示波器觀察輸出波形，用頻率計測量輸出信號頻率，記錄之。

五、實驗預(yù)習(xí)要求

1、 復(fù)習(xí)自激多諧振蕩器的工作原理
2、 畫出實驗用的詳細(xì)實驗線路圖
3、 擬好記錄、實驗數(shù)據(jù)表格等。

六、實驗報告

1、 畫出實驗電路，整理實驗數(shù)據(jù)與理論值進(jìn)行比較
2、 用方格紙畫出實驗觀測到的工作波形圖，對實驗結(jié)果進(jìn)行分析。