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            推拉輸出電路的動態(tài)功耗

            作者: 時間:2010-06-12 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            設(shè)計者經(jīng)常僅僅根據(jù)所接負(fù)載的直流輸入電流要求,冒險使的負(fù)載達(dá)到它的最大直流扇出能力。特別是當(dāng)設(shè)計CMOS總線時這一想法尤其具有誘惑力,因為此時理論上的扇出能力是無限的。實際上重負(fù)載的總路線結(jié)構(gòu)會帶來兩個缺點(diǎn),上升時間將會減慢,而且驅(qū)動器件的功耗將會提高。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/187950.htm

            下例是一個重負(fù)載CMOS總線的實際上升時間和功耗計算的例子。

            例:CMOS總線的性能

            我們正為一臺并行計算機(jī)的共享存儲器子系統(tǒng)構(gòu)造一個大型總線,如圖2.8所示??偩€連接著20個小的CPU,其中任何一個都可能存取這個8位的隨機(jī)訪問存儲器(RAM)。整個系統(tǒng)裝配在一個大的電路板上。

            該總線是通過阻抗可控的50歐印刷電路走線來實現(xiàn)的,走線長度為10IN。圖2.8顯示出總線的傳播長度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于74HCT640門電路上的上升時間,因此在總線的兩端都沒有使用端接器。

            根據(jù)直流扇出系數(shù),我們預(yù)期每個總路線驅(qū)動器應(yīng)該能夠很容易地驅(qū)動其他20個電路。已知每個收發(fā)器的最大傳播延遲為9NS,我們計劃使總線運(yùn)行在30NS的周期上(33MHZ)。

            為了檢驗這一設(shè)計,計算出每一條印刷線路負(fù)載電容,并分別與三態(tài)輸出的驅(qū)動阻抗相比較,計算出總線的RC上升時間。最后計算每個驅(qū)動器內(nèi)的功耗。

            負(fù)載電路

            當(dāng)每個驅(qū)動器轉(zhuǎn)換到關(guān)閉(OFF)狀態(tài)時,仍然存在負(fù)載電容。每個驅(qū)動器的這一I/O負(fù)載電容在手冊中都被制造商標(biāo)明為10PF。我們有20個負(fù)載,所以負(fù)載電容總共為200PF。加上底板印刷線路的電容2PF/IN,可以得到:

            74HCT640的輸出電阻

            在SIGNETICS的高速CMOS數(shù)據(jù)手冊上列出了以下指標(biāo)(兩個驅(qū)動晶體管中上端的情況是最差的):

            VCC=4.5V

            VOH=3.84V

            I輸出=6.0MA


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