開關電源EMI濾波器設計
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2．3．3 容性阻抗對插損的影響
圖10(a)中源阻抗為純容性(不考慮寄生參數(shù))，電容越小，整體插損越大，尤其在μF～nF量級，nF～pF量級范圍插損低頻段增加很快，電容增加到mF量級后，電容變化幾乎對插損沒有影響。圖10(b)源阻抗為容性(考慮寄生參數(shù))，電容越小，整體插損越大，相比純容性源阻抗其在nF量級插損較小，整體上電容的高頻寄生參數(shù)對插損影響較小。圖10(c)中負載為純容性(不考慮寄生參數(shù))，隨著電容值逐步增大，其在工頻附近插損越來越小，對有用信號的衰減變小，但在高頻范圍負載電容變化對插損幾乎沒有影響。圖10(d)中負載為容性(考慮寄生參數(shù))，隨著電容值逐步增大，其在工頻附近插損越來越小，相比圖10(c)說明電容高頻寄生參數(shù)對插損影響很小。比較圖8～圖10，源阻抗特性在頻段1 Hz～30 MHz整個對插損影響很大，而負載阻抗特性只在1 Hzf39．8 kHz頻段對插損有影響，其在39．8 kHzf30 MHz頻段插損不隨負載變化。電感的寄生參數(shù)對插損影響大，電容的寄生參數(shù)對插損影響較小。容性阻抗無論作為源阻抗還是負載，都極大的改善了濾波器的低頻濾波效能，一定程度上彌補了無源濾波器低頻濾波較差的缺點，尤其是作為源阻抗使得濾波器整體濾波性能有了提高。本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/187856.htm
2．4 寄生參數(shù)對濾波器插損影響
理想的EMI濾波器元器件均采用純電容純電感并沒有考慮其高頻寄生參數(shù)，而實際使用的集總參數(shù)元件存在高頻寄生參數(shù)，這里給出兩種情況下濾波器插入損耗曲線對比，假設負載為純阻性，如圖11所示。
當f>3．1 MHz后，由于寄生參數(shù)的影響，插入損耗曲線偏離理想插損曲線，但整體插損依然很高，如圖11所示。在頻率高達5 GHz時依然有53．6 dB的插損，說明濾波器在高頻甚至特高頻頻對噪聲抑制能力。
3 結束語
提出的二階無源EMI濾波器，完全濾除了開關電源輸出端的尖峰干擾，其對開關電源傳導性共模、差模噪聲干擾體現(xiàn)了較強的抑制作用。同時，分析了源、負載阻抗特性對濾波器性能的影響，采用TDK元器件模型的濾波器使得理論的仿真更貼近實際工程應用。
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