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            EEPW首頁 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計應(yīng)用 > 利用數(shù)字電位計AD5292構(gòu)建30V低成本DAC

            利用數(shù)字電位計AD5292構(gòu)建30V低成本DAC

            作者: 時間:2010-11-01 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            為改善電路精度,可以用兩個外部電阻降低上的基準(zhǔn)電壓,如圖5所示,由此便可在有限的電壓范圍內(nèi)提供全部10位分辨率(游標(biāo))。數(shù)字電位計通常具有±20%的端到端電阻容差誤差,由于數(shù)字電位計與外部電阻之間存在匹配誤差,因此會影響電路精度。則具有業(yè)界領(lǐng)先的±1%電阻容差性能,有助于克服電阻匹配誤差問題。
            未標(biāo)題-1 拷貝.jpg

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/187750.htm


            圖5:通過降低基準(zhǔn)電壓來構(gòu)建游標(biāo),從而改善INL性能(原理示意圖,未顯示去耦和所有連接)
            這種情況下:

            未標(biāo)題-1 拷貝.jpg

            未標(biāo)題-1 拷貝.jpg

            縮小范圍內(nèi)的1 LSB可以通過下式計算:

            未標(biāo)題-1 拷貝.jpg

            相對于最高基準(zhǔn)電壓V1,游標(biāo)的等效分辨率為:

            未標(biāo)題-1 拷貝.jpg
            圖6顯示利用圖5的游標(biāo)DAC電路而獲得的INL(以 V1為基準(zhǔn))曲線。
            未標(biāo)題-1 拷貝.jpg


            圖6:游標(biāo)DAC的INL(以V1為基準(zhǔn))
            具有一個20次可編程存儲器,可以在上電時將輸出電壓預(yù)設(shè)為特定值。
            為了使本文所討論的電路達(dá)到理想的性能,必須采用出色的布局、接地和去耦技術(shù)(請參考教程 MT-031 和教程 MT-101)。至少應(yīng)采用四層PCB:一層為接地層,一層為電源層,另兩層為信號層。

            參數(shù)

            最小值

            最大值

            單位

            電源電壓

            30

            33

            V

            輸出電壓

            0

            30

            V

            輸出電流

            -

            ±20

            mA

            DNL

            -1

            +1

            LSB

            INL

            -2

            +2

            LSB

            建立時間

            0.2

            2

            μs


            1. 1中單極性DAC的典型特性


            常見變化
            AD5291 (8位、內(nèi)置20次可編程上電存儲器)和AD5293(10位、無上電存儲器)均為±1%容差數(shù)字電位計,同樣適合本應(yīng)用。
            4.096 V低成本基準(zhǔn)電壓源ADR5044也不失為一種選擇。R1/R2比值可以根據(jù)不同的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。


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            關(guān)鍵詞: 5292 30V DAC AD

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