基于基礎(chǔ)架構(gòu)接收器的超低噪聲放大器設(shè)計(jì)方案
引言
本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/187471.htm放大器要適用于無(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)架構(gòu)接收器,必須滿(mǎn)足低噪聲、高線(xiàn)性度和無(wú)條件穩(wěn)定性等關(guān)鍵要求。為此,Skyworks使用 0.5 微米增強(qiáng)型pHEMT(即E-pHEMT)技術(shù)開(kāi)發(fā)了新的低噪聲放大器(LNA)系列。覆蓋 0.7–1.0 GHz的 SKY67101-396LF 和覆蓋 1.7–2.0 GHz 的SKY67100-396LF 適用于 GSM、WCDMA、TDSCDMA 和 LTE基礎(chǔ)架構(gòu)接收回路應(yīng)用。為降低成本和節(jié)省 PCB 空間,這些 LNA 均采用2x2毫米 QFN 封裝,且不同頻帶可使用相同的布線(xiàn)。
1 規(guī)格
噪聲系數(shù)(NF)性能是接收器系統(tǒng)的關(guān)鍵參數(shù)之一,因?yàn)樗枋龅氖菍?duì)低電平信號(hào)的接收能力。噪聲系數(shù)越低,接收器的靈敏度越好。以三階交調(diào)截取點(diǎn)(IP3)表征了當(dāng)有頻率相近信號(hào)時(shí),放大器抑制互調(diào)失真的能力。絕對(duì)穩(wěn)定性是指放大器在任何輸入或者輸出負(fù)載條件下都不會(huì)產(chǎn)生振蕩的能力。其它一些規(guī)格,包括電流消耗、回波損耗和人體模型靜電釋放(HBM ESD)等也同樣重要,在 LNA 設(shè)計(jì)過(guò)程中也必須對(duì)其加以考慮。
為了以最小的代價(jià)獲取最優(yōu)化的性能,需要采用一些特殊的設(shè)計(jì)技術(shù)。低頻帶和高頻帶 LNA 的目標(biāo)規(guī)格如表 1所示。
表 1. VDD = 5 V,溫度 = 25°C 條件下的 LNA 規(guī)格
2 技術(shù)和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
選擇為獲得優(yōu)秀的 RF 性能、超低的噪聲和高線(xiàn)性度,設(shè)計(jì)選擇使用 0.5 μm 增強(qiáng)型 pHEMT 技術(shù)。由于該技術(shù)在FET 的門(mén)極只需要正電壓,因而也簡(jiǎn)化了 MMIC 設(shè)計(jì)。
這樣就可以直接把電源接地,并且無(wú)需額外元件構(gòu)成自偏置結(jié)構(gòu)。電路仿真也因此可以相當(dāng)精確。
設(shè)計(jì)采用了具備高帶寬、高增益和高反向隔離度等特點(diǎn)的共源共柵 LNA 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
3 設(shè)計(jì)步驟
本論文將詳細(xì)講述 SKY67101-396LF 900 MHz LNA 的設(shè)計(jì)方案。SKY67100-396LF 1900 MHz 的設(shè)計(jì)使用相同的方法,通過(guò)頻率調(diào)整技術(shù)實(shí)現(xiàn)。低頻帶和高頻帶的測(cè)量結(jié)果和仿真結(jié)果顯示在“仿真和測(cè)量結(jié)果比較”部分。
3.1 偏置電路
圖 1 顯示的是隨溫度、制程和電源電壓變化,將 LNA 的電流消耗穩(wěn)定在大約 55 mA 左右的主動(dòng)調(diào)節(jié)偏置電路。
R1 用于通過(guò)設(shè)置引腳 4 的電壓來(lái)設(shè)置偏置總電流。電源偏置的任何波動(dòng)將由有源偏置電路進(jìn)行穩(wěn)定處理。通過(guò)L1 電感器,引腳2獲得經(jīng)過(guò)穩(wěn)定處理的門(mén)極電壓。這些元件還用于實(shí)現(xiàn)輸入阻抗和噪聲系數(shù)源阻抗的匹配。
溫度變化(-40 °C 至 +80°C)時(shí)電源電流的測(cè)量值與仿真值差異約為 3 mA(如圖2所示)。
3.2 噪聲系數(shù)(NF)和輸入匹配
噪聲系數(shù)和輸入回波損耗是 LNA 設(shè)計(jì)中的主要因素。
共源共柵設(shè)計(jì)的第一級(jí)旨在獲得最佳的噪聲系數(shù)、輸出阻抗匹配和目標(biāo)漏源電流(Ids)下的 P1dB。而緩沖級(jí)則是在不影響其它性能規(guī)格的前提下獲取最佳的 IP3 性能、輸出匹配和 P1dB。該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)通過(guò)源極反饋幾乎可以在所有阻抗下保持穩(wěn)定(在添加級(jí)間網(wǎng)絡(luò)、輸出網(wǎng)絡(luò)、傳輸線(xiàn)路損耗和 SMT 元件寄生阻抗后,可以實(shí)現(xiàn)絕對(duì)穩(wěn)定。請(qǐng)參閱“線(xiàn)性度”和“穩(wěn)定性”部分)。圖3 顯示拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)頻率變化時(shí)的增益和 NFmin 最小噪聲系數(shù))權(quán)衡。
評(píng)論