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            一種應(yīng)用于深亞微米存儲器的電荷泵設(shè)計

            作者: 時間:2011-08-30 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            因只讀的基本存儲單元只進行一次編程,編程后的數(shù)據(jù)能長時間保存,且在編程時需要流過mA級以上的電流,所以只讀編程時通常采用外加編程高壓,內(nèi)部的。在設(shè)計此類時,擊穿電壓和體效應(yīng)的影響成為嚴重的問題。我們設(shè)計了一款用以在中傳遞外部編程高壓。這種電荷泵利用高壓NMOS器件提高了耐壓特性并保證了正常工作,且增加了襯底偏置以縮短電荷泵的穩(wěn)定時間。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/187355.htm

            電荷泵電路結(jié)構(gòu)和工作原理
            1 常壓MOS管電荷泵
            圖1所示是初步提出的電荷泵電路原理圖,其中所有的器件均為常壓器件。

            圖1 常壓MOS管構(gòu)成的電荷泵原理圖


            初始化過程中,clear信號為低電平。此時N5管打開,將節(jié)點4清零;由于N4柵極始終接高電平,N4管打開,將節(jié)點3清零。


            初始化結(jié)束后電荷泵進入工作狀態(tài)。Vp為外加編程高壓,clear信號保持高電平,clk信號為固定周期的方波信號。N4柵極恒為高電平,因此會將clear信號的高電平傳輸?shù)焦?jié)點3,節(jié)點3的初始電壓為V3.0=VDD-VTH4。節(jié)點5為與clk信號周期相同、相位反相的方波信號。以下依據(jù)節(jié)點5信號的變化具體分析電荷泵的工作原理。


            第1周期,節(jié)點5首先維持半個周期的高電平。根據(jù)電荷分享原理,此時節(jié)點2的電壓由電容C1和Cs的分壓決定(其中Cs為節(jié)點2的寄生電容),電壓可表示為:
            V2,1=C*VDD/(C1+CS) (1)


            因N2管為飽和接法,節(jié)點3的電壓被鉗位,表達式為:
            V3,1=V2,1-VTH2=C1VDD/(C1+CS)-VTH2 (2)


            隨后節(jié)點5轉(zhuǎn)為低電平,節(jié)點2電壓逐漸下降。由于沒有泄放通路,電壓會在節(jié)點3一直保持下去,并且由于C1遠大于節(jié)點2的寄生電容,使得半個高電平周期后節(jié)點3的電壓足以使N1管打開。N1管的開啟使得節(jié)點2的電位不會持續(xù)下降,而是會被鉗位到電壓值。


            V’2,1=V2,1-VTH2-VTH1=C1VDD/(C1+CS)-VTH2-VTH1 (3)
            這個便是第一周期過后節(jié)點2上形成的電壓值。


            第二個周期,同樣的節(jié)點5會經(jīng)歷高電平和低電平各半個周期。這一過程仍然會在節(jié)點3和節(jié)點2上積累電荷。與第一周期類似的推導(dǎo)可得到以下一組表達式:
            V2,2=V’2,1+C1VDD/(C1+CS) (4)
            V3,2=V2,2-VTH2 (5)
            V’2,2=V3,2-VTH2=V2,2-VTH2-VTH1=V’2,1+C1VDD/(C1+CS)-VTH2-VTH1 (6)
            比較公式(3)和公式(6)可發(fā)現(xiàn),每一周期節(jié)點2上增加的電壓為:
            ΔV=C1VDD/(C1+CS)-VTH2-VTH1 (7)
            依次類推,第i個周期節(jié)點5維持高電平時,節(jié)點2和節(jié)點3的電壓為:
            V2,i=C1VDD/(C1+CS)+(i+1)[C1VDD/(C1+CS)-VTH2-VTH1] (8)
            V3,i=C1VDD/(C1+CS)-VTH2+(i-1)[(C1+CS)-VTH2-VTH1] (9)
            V’2,i=i[C1VDD/(C1+CS)-VTH2-VTH1] (10)
            V3不會持續(xù)升高,當?shù)竭_一定值時會通過N1、N3被Vp鉗位,此時電荷泵進入穩(wěn)態(tài)且Vp能完整傳遞到編程節(jié)點4。但在進入穩(wěn)態(tài)之前,V2和V3會在高電平半周達到大于Vp的電壓峰值,隨后在低電平半周穩(wěn)定。


            2 高壓MOS電荷泵
            理論上分析電荷泵可以正常工作。然而一些潛在的問題可能會引發(fā)電路的不正常工作。


            首先,隨著工藝尺寸的縮小,電路所用的電源電壓VDD,能承受的柵源擊穿電壓BVGS、源漏穿通電壓BVDS,漏PN結(jié)擊穿電壓BVDB都降低。若在電荷泵工作過程中,V2和V3升高到高于其中一種擊穿電壓,則會使得器件和電路面臨燒毀或無法正常工作的危險。


            其次,考慮體效應(yīng)的影響器件的閾值電壓在不斷變化。因V2和V3不斷升高,即N1、N2管源極電位不斷升高,考慮襯底偏置效應(yīng)后器件的閾值電壓由下式給出:
            (11)
            (12)
            則隨著震蕩周期數(shù)的增加,VTH2,i和VTH1,i的值不斷增大,在V2和V3達到峰值時體效應(yīng)影響最為嚴重。這使得一個周期內(nèi)V2和V3提升的電壓值越來越小,導(dǎo)致電荷泵到達穩(wěn)定狀態(tài)所需經(jīng)歷的周期數(shù)增加。更嚴重的情況是,考慮在電荷泵上升且還未達到穩(wěn)態(tài)的過程中,因VTH2,i和VTH1,i變大,如果在某個周期時使得公式(13)成立:
            C1VDD/(C1+CS)-VTH2,i-VTH1,i0 (13)
            則每個周期內(nèi)V2抬升的電壓無法維持兩個閾值損失,導(dǎo)致Vp無法傳到編程節(jié)點4。


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