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            EEPW首頁 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計應用 > 軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的輸出電容設(shè)計

            軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的輸出電容設(shè)計

            作者: 時間:2011-11-03 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
            設(shè)計人員感興趣的另一個地方是MOSFET電容的測試條件。大多數(shù)情況下,在1MHz頻率和Vgs為0V的條件下測量。事實上存在著柵漏間電容、柵源間電容及漏源間電容。但實際上卻不可能單獨測量每一電容。因此,柵漏間電容和漏源間電容之和總稱為,通過并聯(lián)兩個電容來測量。為使它們并聯(lián),將柵極與源極短接在一起,即Vgs=0V。在開關(guān)應用中,當MOSFET在柵極加偏置電壓而導通時,通過MOSFET溝道而短路。僅當MOSFET關(guān)斷時,輸出電容值才值得考慮。關(guān)于頻率,如圖5所示,低壓下的輸出電容在低頻時稍有增加。低頻時,因為測試設(shè)備的限制,有時無法測量低漏源電壓下的電容。圖5中,當漏源電壓小于4V時,100kHz時的電容將無法測出。雖然輸出電容存在微小變化,但是等效輸出電容卻幾乎恒定,因為低壓下的輸出電容微小變化不會對儲能產(chǎn)生如圖3所示那樣大的影響。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/187223.htm

              

              圖5:MOSFET電容與頻率的關(guān)系。

              本文小結(jié)

              輸出電容是設(shè)計的重要部分。設(shè)計人員必須慎重考慮等效電容值,而不是將其固定為漏源電壓下的單一數(shù)值。


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