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            分立元件低噪聲、低失真前置放大器工作原理分析

            作者: 時間:2012-01-20 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            為音響設(shè)備研制的OP放大器有以低器聲見長的NE5532A、LM833A等,但這些IC受到輸入阻抗、高頻特性、電源電壓的制約。而采用的晶體管電路則具有按使用要求進行設(shè)計的自由度。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/186970.htm

            由于輸入級采用了的并聯(lián)J-FET電路,所以用在信號源輸出電阻高的電路中也能獲得特性。對于雙極輸入型的OP放大器來說,當(dāng)信號電阻降低時,噪聲系數(shù)也變小。

            電路工作原理

            輸入級是由TT7構(gòu)成恒流偏置的FET送去放大電路,每組各3個FET并聯(lián),以求實現(xiàn)低噪聲。在J-FET電路中,噪聲特性不會因偏流而發(fā)生很大變化,所以可以確定減少失真值。漏極電阻RD(即R2、R3)與該級的電壓增益(AV≈GM.RD)有關(guān),當(dāng)需要較大的開路增益時,可加大漏級電阻或增加有源負(fù)載電路。

            在由TTB.D組成的差動放大電路中,二極管D1用于V的溫度補償。因為整個電路的電壓增益基本上由這個級電路決定,所以增加了把差動輸出轉(zhuǎn)換成單極的電流密勒電路。

            輸出級是推挽式射極輸出器,靠二極管D2和D3產(chǎn)生基極偏壓。所以即便在低負(fù)載阻抗的條件下也具備驅(qū)動能力,并能減少波形失真。

            元件的選擇

            在多極放大電路中,初級的噪聲特性決定了整個電路S/N的大小,因此要選用低噪聲的元件。TT1~TT0選用互導(dǎo)GM大的低噪聲FET(2SK68A)。

            FET外圍電阻可選用金屬電阻,而不要選用炭膜電阻或?qū)嵭碾娮琛1對電路的低頻特性決定作用,頻率越低,要求容量越大。如果可能,應(yīng)選用鉭電容。在電壓增益要求不高的情況下,R6可直接接地。由于輸出級是推挽電路,在負(fù)載電阻不大的條件下也可驅(qū)動,所以TT12、TT13應(yīng)選擇集電極額定功耗大的三極管。發(fā)射極電阻R10及R11取負(fù)載電阻的1/10左右。

            調(diào)整

            由于輸入級的偏流決定下一級的直流工作點,所以必須調(diào)整FET恒流電路中的源極電阻R4,該電阻應(yīng)取1千歐左右,如果嫌調(diào)整麻煩,也可以將其換成2千歐的半固定電阻。

            如果去掉C1,采用DC耦合,應(yīng)該調(diào)整差動放大器的補償,在兩個FET的源極之間連接100歐的可變電阻,把滑動觸點接在TT7的漏極上。

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