設(shè)計(jì)示例和測試結(jié)果

圖5所示為飛兆半導(dǎo)體用于LED背光照明電源的評估電路板的示意圖。

U4，Q35，T3，D36和外部元件構(gòu)成了這個(gè)升壓轉(zhuǎn)換器，繞組6-10用于實(shí)現(xiàn)零電流檢測（ZCD），D37，C42，R39，R40具有兩項(xiàng)功能，一項(xiàng)功能是作為箝位線路，吸收N1和N2之間的泄漏電感引起的電壓脈沖，另一項(xiàng)功能是監(jiān)視Q35的漏極電壓，反饋至U4的引腳1，實(shí)現(xiàn)過電壓保護(hù)。

圖6

圖7

圖6是評估電路板頂部、底部和側(cè)面照片。我們可以看到，增添R38，效率提高了1.09%。圖7是使用/不使用Vrsense電壓墊高電路（R38）的波形差別示意圖。表2是使用/不使用自耦變壓器的結(jié)果比較。如果不使用自耦變壓器，應(yīng)當(dāng)去掉D37，將D37的陰極連接到24VVin。我們可以看到使用自耦變壓器，效率提高了14.06%，圖8所示為波形比較。

表1：使用/不使用Vrsense電壓墊高電路（R38）的結(jié)果比較

表2：使用/不使用自耦變壓器的結(jié)果比較

圖8

本文小結(jié)

標(biāo)準(zhǔn)CRMPFC控制器就其特性、通用性和低價(jià)格而言，適用于中等電壓升壓轉(zhuǎn)換器。傳導(dǎo)損耗是其應(yīng)用的主要挑戰(zhàn)。采用電壓墊高電路能夠降低Rsense所需的峰值電壓以期提升轉(zhuǎn)換器的效率。在升壓轉(zhuǎn)換器中采用自耦變壓器，允許使用低VdssMOSFET器件以減小Rdson，從而顯著提升效率。評估電路板的測試結(jié)果證實(shí)這一思路是可行的。