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            高速A/D轉換器數(shù)字輸出生存法則

            作者: 時間:2012-07-02 來源:網(wǎng)絡 收藏

            設計人員有各種模數(shù)(ADC)可以選擇,數(shù)字數(shù)據(jù)輸出類型是選擇過程中需要考慮的一項重要參數(shù)。目前,高速三種最常用的是互補金屬氧化物半導體(CMOS)、低壓差分信號(LVDS)和電流模式邏輯(CML)。

            ADC中每種類型都各有優(yōu)劣,設計人員應根據(jù)特定應用仔細考慮。這些因素取決于ADC的采樣速率和分辨率、輸出數(shù)據(jù)速率、系統(tǒng)設計的電源要求,以及其他因素。

            本文將討論每種輸出類型的電氣規(guī)格,及其適合特定應用的具體特點。我們將從物理實現(xiàn)、效率以及最適合每種類型的應用這些方面來對比這些不同類型的輸出。

            CMOS驅動器

            在采樣速率小于200 Msps (ms/sec)的ADC中,CMOS是很常見的數(shù)字輸出。典型的CMOS驅動器由兩個晶體管(一個NMOS和一個PMOS)組成,連接在電源(VDD)和地之間,如圖1a所示。這種結構會導致輸出反轉,因此,可以采用圖1b所示的背對背結構作為替代方法,避免輸出反轉。

            輸出為低阻抗時,CMOS輸出驅動器的輸入為高阻抗。在驅動器的輸入端,由于柵極與導電材料之間經(jīng)柵極氧化層隔離,兩個CMOS晶體管的柵極阻抗極高。輸入端阻抗范圍可達k?至M?級。

            在驅動器輸出端,阻抗由漏電流ID控制,該電流通常較小。此時,阻抗通常小于幾百?。CMOS的電平擺幅大約在VDD和地之間,因此可能會很大,具體取決于VDD幅度。

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            圖1:典型CMOS數(shù)字輸出驅動器


            由于輸入阻抗較高,輸出阻抗較低,CMOS的優(yōu)勢之一在于通??梢杂靡粋€輸出驅動多個CMOS輸入。

            CMOS的另一個優(yōu)勢是低靜態(tài)電流。唯一出現(xiàn)較大電流的情況是CMOS驅動器上發(fā)生切換時。無論驅動器處于低電平(拉至地)還是高電平(拉至VDD),驅動器中的電流都極小。但是,當驅動器從低電平切換到高電平或從高電平切換到低電平時,VDD與地之間會暫時出現(xiàn)低阻抗路徑。該瞬態(tài)電流是速度超過200MSPS時,輸出驅動器中采用其他技術的主要原因。

            另一個原因是轉換器的每一位都需要CMOS驅動器。如果轉換器有14位,就需要14個CMOS輸出驅動器來傳輸每一位。一般會有一個以上的轉換器置于單個指定封裝,常見為八個。

            采用CMOS技術時,意味著數(shù)據(jù)輸出需要高達112個輸出引腳。從封裝角度來看,這不太可能實現(xiàn),而且還會產(chǎn)生高功耗,并使電路板布局變得更加復雜。為了解決這些問題,我們引入了使用LVDS的接口。

            LVDS數(shù)字輸出驅動器

            與CMOS技術相比,LVDS具備一些明顯優(yōu)勢。它可以在低電壓信號(約350mV)下工作,并且為差分而非單端。低壓擺幅具有較快的切換時間,可以減少EMI問題。

            差分這一特性可以帶來共模抑制的好處。這意味著耦合到信號的噪聲對兩個信號路徑均為共模,大部分都可被差分接收器消除。

            LVDS中的阻抗必須更加嚴格控制。在LVDS中,負載阻抗應約為100?,通常通過LVDS接收器上的并聯(lián)端接電阻實現(xiàn)。此外,LVDS信號還應采用受控阻抗傳輸線進行傳輸。差分阻抗保持在100?時,所需的單端阻抗為50?。圖2所示為典型LVDS輸出驅動器。

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            圖2:典型LVDS輸出驅動器

            如圖2中LVDS輸出驅動器拓撲結構所示,電路工作會在輸出電源產(chǎn)生固定直流負載電流。這可以避免輸出邏輯狀態(tài)躍遷時典型CMOS輸出驅動器中出現(xiàn)的電流尖峰。電路中的標稱拉電流/灌電流設為3.5mA,使得端接電阻100?時典型輸出電壓擺幅為350mV。電路的共模電平通常設為1.2V,兼容3.3V、2.5V和1.8V電源電壓。

            有兩種書面標準可用來定義LVDS接口。最常用的標準之一是ANSI/TIA/EIA-644規(guī)格,標題為《低壓差分信號(LVDS)接口電路的電氣特性》。另一種是IEEE標準1596.3,標題為《可擴展一致性接口(SCI)的低壓差分信號IEEE標準》。

            LVDS需要多加注意信號路由的物理布局,但在采樣速率達到200MSPS或更高時可以為轉換器提供許多優(yōu)勢。LVDS的恒定電流使得許多輸出都能受到驅動,無需CMOS要求的大量電流吸取。

            此外,LVDS還能以雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)模式工作,其中兩個數(shù)據(jù)位可以通過同一個LVDS輸出驅動器。與CMOS相比,可以減少一半的引腳數(shù)。

            同時,還降低了等量數(shù)據(jù)輸出的功耗。對轉換器數(shù)據(jù)輸出而言,LVDS確實相比CMOS具有諸多優(yōu)勢,但也和CMOS一樣存在一些限制。隨著轉換器分辨率的增加,LVDS接口所需的數(shù)據(jù)輸出量會變得更難針對PCB布局進行管理。而且,轉換器的采樣率最終會使接口所需的數(shù)據(jù)速率超出LVDS的能力。


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