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            德州儀器超小型 FemtoFET? MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻

            作者: 時(shí)間:2013-11-12 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              日前,德州儀器 () 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低 。該最新系列 FemtoFET™ 晶體管采用超小型封裝,支持不足 100 毫歐的。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/185356.htm

              三個(gè) N 通道及三個(gè) P 通道 FemtoFET 均采用平面柵格陣列 (LGA) 封裝,與芯片級(jí)封裝 (CSP) 相比,其可將板積空間銳減 40%。CSD17381F4 與 CSD25481F4 支持不足 100 毫歐的,比目前市場上類似器件低 70%。所有 FemtoFET MOSFET 均提供超過 4000V 的人體模型 (HVM) 靜電放電 (ESD) 保護(hù)。

              FemtoFET MOSFET 歸屬 NexFET 功率 MOSFET 產(chǎn)品系列,該系列還包括適用于手機(jī)等便攜式應(yīng)用的 CSD25213W10 P 通道器件以及 CSD13303W1015 N 通道器件等。 提供 LP5907 大電流低壓降 (LDO) 線性穩(wěn)壓器以及 TPS65090 前端電源管理單元 (PMU) 等各種系列的電源管理產(chǎn)品,可為手持應(yīng)用節(jié)省板級(jí)空間,降低功耗。

              FemtoFET MOSFET 系列的主要特性與優(yōu)勢

              · 不足 100 毫歐的導(dǎo)通電阻比類似器件低 70%,可節(jié)省電源,延長電池使用壽命;
              · FemtoFET 0.6 毫米 × 1.0 毫米 × 0.35 毫米的 LGA 封裝比標(biāo)準(zhǔn) CSP 小 40%;
              · 1.5A 至 3.1A 的持續(xù)漏極電流值與當(dāng)前市場類似尺寸器件相比,可提供超過 2 倍的性能。

              供貨情況

              FemtoFET MOSFET 器件現(xiàn)已開始批量供貨,可通過 TI 及其授權(quán)分銷商進(jìn)行訂購。



            關(guān)鍵詞: TI MOSFET 導(dǎo)通電阻

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