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            DC/DC輻照損傷與VDMOS器件1/f噪聲相關(guān)性研究

            作者: 時間:2009-04-16 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            由圖3可以看出,在前,無論24 V還是32 V輸入,輸出電壓在不同負(fù)載下都表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性;在20 krad(Si)之后,輸出電壓在特定負(fù)載下就會出現(xiàn)明顯的下降,32V輸入時,輸出電壓下降點(diǎn)出現(xiàn)在40%負(fù)載;24 V輸入時,輸出電壓下降點(diǎn)出現(xiàn)在60%負(fù)載。在30 krad(Si)之后,無論是32 V輸入還是24 V輸入,輸出電壓均明顯下降,隨負(fù)載的增加,輸出電壓趨近于零。隨著輻照總劑量的累積,樣品輸出功率的效率也明顯變化,在總劑量達(dá)到30 krad(Si)之后,其輸出功率趨近于零,此時,可認(rèn)為樣品已經(jīng)損壞。
            測得輸出功率譜圖后,需要進(jìn)一步對頻譜圖進(jìn)行擬合,提取/DC的1/f幅值日,其在輻照前后的變化。實(shí)驗(yàn)測得DC/DC功率譜密度可寫為


            其中的三個表征參量A、B以及γ分別表示白噪聲的幅度、1/f噪聲的幅度以及頻率指數(shù)因子。數(shù)學(xué)上可以根據(jù)最小二乘法對曲線進(jìn)行擬合,提取出A、B、γ。
            西安電子科技大學(xué)噪聲及無損檢測實(shí)驗(yàn)室自主研發(fā)的噪聲分析軟件能很好地實(shí)現(xiàn)噪聲頻譜的擬合與參數(shù)的提取。
            為了清楚地表明輻照前后低頻噪聲的變化程度與常規(guī)電參數(shù)的變化程度,將噪聲參數(shù)與電參數(shù)的變化百分比計(jì)算出來,如圖4。

            從圖4可以看出,樣品的低頻噪聲B值在輻照前后的變化幅度要遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)的電參數(shù)的變化,對輻照更加敏感。因此,可以將噪聲作為表征DC/DC轉(zhuǎn)換器抗輻照性能的一種有效補(bǔ)充。此外,商用級樣品與普軍級樣品輻照前的低頻噪聲數(shù)據(jù)相比較時,商用級樣品在輻照前的噪聲幅值B無論在何種負(fù)載條件下均大于普軍級樣品,而且商用級樣品在經(jīng)過20 krad(Si)的輻照后即徹底破壞,而普軍級樣品在輻照總劑量達(dá)到40 krad(Si)之后才完全損壞。由此可以初步判斷,DC/DC轉(zhuǎn)換器輻照前的噪聲幅值曰可以用來判別的抗輻照性能,用來篩選可靠性更高的。但這一結(jié)論仍需要對多種型號的器件進(jìn)行大量重復(fù)性實(shí)驗(yàn)來予以驗(yàn)證,這也是下一步需要加以關(guān)注的方向之一。

            3 DC/DC轉(zhuǎn)換器輻照失效噪聲參數(shù)與電參數(shù)分析
            從前面的實(shí)驗(yàn)可以得出,DC/DC轉(zhuǎn)換器的1/f噪聲在輻照前后有明顯變化,1/f噪聲的這種變化是來源于DC/DC轉(zhuǎn)換器內(nèi)部器件的輻照失效。在電路中,l/f噪聲發(fā)生變化的位置正是影響DC/DC轉(zhuǎn)換器電參數(shù)變化的位置,二者的來源具有一致性。本實(shí)驗(yàn)以降壓式直流轉(zhuǎn)換器的工作原理為例,分析DC/DC轉(zhuǎn)換器輻照失效的一般原理。
            圖5(a)所示的是降壓式直流轉(zhuǎn)換器的簡化線路組成圖;圖5(b)為由單刀雙擲開關(guān)S、電感原件L和電容C組成的降壓型轉(zhuǎn)換器基本原理圖。



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