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            DS2726在充電器反接時(shí)保護(hù)Li+電池的應(yīng)用

            作者: 時(shí)間:2009-09-24 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            引腳功能描述如下:
            RSC(引腳1):短路門限。該引腳到組的正極之間的電阻選擇放電方向短路狀態(tài)下的門限電壓;RDOC(引腳2):放電過流電壓門限。該引腳與組的正極之間所連接的電阻可選擇過流狀態(tài)下在放電方向上的門限電壓;Vcc(引腳3):穩(wěn)壓輸出。Vcc為內(nèi)部電路提供電源,并將配置引腳拉高至VIN該引腳應(yīng)連接1只至少0.1 μF的陶瓷電容旁路至GND;SEL0,SEL1(引腳4、5):組所選電池節(jié)數(shù)。該引腳為三級(jí)輸入。接地或與Vcc相連分別實(shí)現(xiàn)邏輯低或邏輯高,懸空則實(shí)現(xiàn)中級(jí)門限;CDOCD(引腳6):放電過流延遲時(shí)間。該引腳與GND之間所連接的電容用于設(shè)置DC FET關(guān)斷前放電過流狀態(tài)必須保持的時(shí)間;SLEEP(引腳7):睡眠模式選擇輸入。驅(qū)動(dòng)該引腳為邏輯低強(qiáng)制進(jìn)入最低功耗狀態(tài)。若施加充電電壓,退出睡眠模式。當(dāng)CBCFG為高電平,該引腳的邏輯高使能電池均衡;CSCD(引腳8):短路電流延遲時(shí)間。該引腳與CND之間所連接的電容用于設(shè)置DCFET關(guān)斷前短路電流狀態(tài)必須保持的時(shí)間;CBCFG(引腳9):充電均衡配置輸入。當(dāng)為邏輯低時(shí),若VPKP>VVIN+ VCDET,充電均衡使能;當(dāng)為邏輯高時(shí),若SLEEP引腳為邏輯高,則充電均衡使能;CBS0,CBS1(引腳10、11):選擇電池均衡電壓。該引腳輸入為三級(jí)輸入,接地或接VCC分別實(shí)現(xiàn)邏輯低或邏輯高,懸空則實(shí)現(xiàn)中級(jí)門限;OVS0,OVS1(引腳12、13):選擇過壓門限。該引腳輸人為三級(jí)輸入,接地或接VCC分別實(shí)現(xiàn)邏輯低或邏輯高,懸空則實(shí)現(xiàn)中級(jí)門限。N.C(引腳14、30):懸空,內(nèi)部無連接;GND(引腳15):接地。接至最低電壓電池的負(fù)極;V00~V10(引腳16~26):負(fù)極電壓檢測(cè)。連接至電池組中的第一節(jié)電池的負(fù)極;VIN(引腳27):連接至最大電池正極;DC(引腳 28):放電控制輸入。CC控制充電FET的柵極,驅(qū)動(dòng)PKP至VOLCC,并導(dǎo)通或關(guān)斷充電FET;SNS(引腳29):檢測(cè)輸入。連接至充電和放電 FET的漏極。作為基準(zhǔn)電壓檢測(cè)短路和放電過流狀態(tài);CC(引腳31):充電控制輸人。CC控制充電FET的柵極,驅(qū)動(dòng)PKP至VOLCC,并導(dǎo)通或關(guān)斷充電FET;PKP(引腳32):電池組正極。PKP電壓用于檢測(cè)附件或釋放狀態(tài)。

            3 DS2726設(shè)計(jì)
            在DS2726典型電路的基礎(chǔ)上,通過簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)修改,可利用DS2726 +電池器承受負(fù)電壓,在反接時(shí)為電池提供。圖2為采用DS2726的電池保護(hù)電路。

            3.1 保護(hù)PKP引腳
            PKP引腳容易暴露在充電反接電壓下,典型電路中,該引腳已接有1個(gè)肖特基二極管,能夠防止感應(yīng)沖擊(產(chǎn)生過流),使該引腳拉至地電位以下。唯一需要修改的是提高PKP阻抗,從而限制流過肖特基二極管的電流。10節(jié)電池使用42 V。60 V肖特基二極管具有Vf= 0.45 V。RPKP電壓為:-42 V-(-0.45 V)=-41.55 V。假設(shè)使用250 mW的電阻則:250 mW=(-41.55 V)2/RPKP,其中,RPKP=6.905 kΩ。

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