2．2 電容
由圖9可看出，在無屏蔽盒時，電容電壓受外界高功率照射波的影響很大；在有屏蔽盒的情況下，電容受外界高功率照射波的影響雖不像電阻那樣幾乎可以忽略，但和無屏蔽盒比起來，這種影響確實要小得多。

2．3 電感
由圖10可看出，在無屏蔽盒時，電感電壓在高功率微波波照射下變化很大；而在有屏蔽盒的情況下，電感電壓在外界高功率微波的照射下雖也有波動，但波動幅度明顯要比無屏蔽盒情況下小得多。

2．4 二極管
模型與上節(jié)中二極管模型相同，但由于屏蔽盒的引進，整個計算空間區(qū)域變?yōu)?72△x×66△y×40△z，平面波區(qū)域大小為256△x×50△y×24△z，屏蔽盒大小為240△x×40△y×14△z，在屏蔽盒正面開有一條25△y×4△z的小縫，微帶電路位于整個區(qū)域中央。照射脈沖電場強度為30 kV／m。從圖11可以看出，有屏蔽盒時，外界照射波對二極管影響很小。

3 結 語
本文利用FDTD仿真了高功率微波脈沖對電阻、電容、電感、二極管等集總元件的影響，并比較了在有屏蔽盒和無屏蔽盒保護作用下集總元件受到的影響大小。從仿真結果可以看出：在電阻、電容、電感三者中，電感受高功率微波的影響最大，電阻次之，電容最??；二極管受到高功率微波脈沖照射時，當照射脈沖的幅值不是很大的時，二極管的正常工作將會受到很大的影響，但脈沖過后其功能又能恢復，但當脈沖功率幅值達到一定值時，二極管將會被二次擊穿，其正常功能不能再恢復；在有屏蔽盒保護作用下，高功率微波脈沖對集總元件的影響很小。