Abrupt junction 突變結(jié) ~r.,=]`N 
Accelerated testing 加速實驗 |5CU%2 
Acceptor 受主 J D7 R 
Acceptor atom 受主原子 (o!6zsQ 
Accumulation 積累、堆積 h%H z
bG 
Accumulating contact 積累接觸 `W<} Fb 
Accumulation region 積累區(qū) Y)!L<^~ 
Accumulation layer 積累層 Fn>`)x/k 
Active region 有源區(qū) f Ya wL j 
Active component 有源元 !cYR?zsq#n 
Active device 有源器件 1.FzTM% 
Activation 激活 q[
7 v& 
Activation energy 激活能 ]m`'Gc(E< 
Active region 有源（放大）區(qū) 2[ 1 #)}) 
Admittance 導納 { H_tnO|) 
Allowed band 允帶 o<_~rY a1 
Alloy-junction device合金結(jié)器件 [;MZ FO?R 
Aluminum(Aluminium) 鋁 d$ Q'J/ 
Aluminum – oxide 鋁氧化物 I"bPRr- 
Aluminum passivation 鋁鈍化 S]^a$BwP 
Ambipolar 雙極的 5}O&%{.Y 
Ambient temperature 環(huán)境溫度 kp!lBo~W 
Amorphous 無定形的，非晶體的 Oax8m&IhO 
Amplifier 功放 擴音器 放大器 {a ,T EO 
Analogue(Analog) comparator 模擬比較器 o@TJla 
Angstrom 埃 Zt;1} "~J 
Anneal 退火 x)3t}G= 
Anisotropic 各向異性的 K"`ZQ}+-w 
Anode 陽極 `CS@S<TU| 
Arsenic (AS) 砷 xInW4< 
Auger 俄歇 p#Y$Fs@: 
Auger process 俄歇過程 L(gmI"it9 
Avalanche 雪崩 wZ _h:=w 
Avalanche breakdown 雪崩擊穿 *hj
$ s 
Avalanche excitation雪崩激發(fā) ZBp 1LbC# 
Background carrier 本底載流子 9dd.J+ 
Background doping 本底摻雜 &%N Mb7 
Backward 反向 m;2n%N 
Backward bias 反向偏置 x Sv07PH 
Ballasting resistor 整流電阻
Qub#5 
Ball bond 球形鍵合 h RD52G 
Band 能帶 spqU1,MM/ 
Band gap 能帶間隙 I mpDX 
Barrier 勢壘 B"sv9;x 
Barrier layer 勢壘層 -sIrL 
Barrier width 勢壘寬度 V?G--T 
Base 基極 0I uVzZ 
Base contact 基區(qū)接觸 gZv8;I 
Base stretching 基區(qū)擴展效應 G@go5'^O 
lR6 #$$4 
Base transit time 基區(qū)渡越時間 <= RaWQ 
Base transport efficiency基區(qū)輸運系數(shù) -h1JdE~ 
i{[oCd7( 
Base-width modulation基區(qū)寬度調(diào)制 /mZ` z&|g 
Basis vector 基矢 *Cl5Y':|h 
Bias 偏置 Rag OOOr 
Bilateral switch 雙向開關(guān) 
 oL]X 
Binary code 二進制代碼 HH=3> rj 
Binary compound semiconductor 二元化合物半導體 FNfkWuk!K 
Bipolar 雙極性的 f '1sBD 
Bipolar Junction Transistor (BJT)雙極晶體管 g6xOWT)8L 
Kgu!dos4 
Bloch 布洛赫 4wb^$1XR 
Blocking band 阻擋能帶  3DY0Py, 
Blocking contact 阻擋接觸 rqxCjhD 
Body - centered 體心立方 !HL~=-b{p 
Body-centred cubic structure 體立心結(jié)構(gòu) B<WW'` ubj 
Boltzmann 波爾茲曼 ,) rxpf'L 
Bond 鍵、鍵合 }siiBC`; 
Bonding electron 價電子 'K"m8kI2 
Bonding pad 鍵合點 db @v6Z 
Bootstrap circuit 自舉電路 A7Y-`.&[i 
Bootstrapped emitter follower -^YJ)L}t 
自舉射極跟隨器Boron 硼 =a* Dp+!/ 
Borosilicate glass 硼硅玻璃 M ~^U|
 
Boundary condition 邊界條件 *cCR
n%4 
Bound electron 束縛電子 @ ]-4[ 
Breadboard 模擬板、實驗板 *fLj>n1 
Break down 擊穿 U%N)9F P 
Break over 轉(zhuǎn)折 Mh=z}hZ`H 
Brillouin 布里淵 F3j84"e7|d 
Brillouin zone 布里淵區(qū) ou-a}"{R% 
Built-in 內(nèi)建的 ;;*knu<> 
Build-in electric field 內(nèi)建電場 hakHTeW 
Bulk 體/體內(nèi) a6FR.;)B> 
Bulk absorption 體吸收 kM*OUZ^$ 
Bulk generation 體產(chǎn)生 UD(B2 
Bulk recombination 體復合 S: e) Y 
Burn - in 老化 qJJL^x
V 
Burn out 燒毀 T]:H8? 
Buried channel 埋溝 ZN  kr1f 
Buried diffusion region 隱埋擴散區(qū) D gLKh04LN 
Can 外殼 p =[
YB( 
Capacitance 電容 Ov$K~2]iQ1 
Capture cross section 俘獲截面 ZU3>5( 
Capture carrier 俘獲載流子 crxXyz[, 
6BjzkycLh  {{分頁}}
Carrier 載流子、載波 sVYo
u>n 
Carry bit 進位位 Zf Gk`4 
Carry-in bit 進位輸入 w)Wby~1 =Y 
Carry-out bit 進位輸出 _Fa)u6`/T 
Cascade 級聯(lián) (-@GEHd 
Case 管殼 rP9VI@( 
Cathode 陰極  ".^9fl 
Center 中心 -rOH
,=L 
Ceramic 陶瓷（的） , nmWrf<O 
Channel 溝道 1#h1BK 
Channel breakdown 溝道擊穿 >3L6{~QAbA 
Channel current 溝道電流 2 K"sD`N 
Channel doping 溝道摻雜 `J2+ 
Channel shortening 溝道縮短 ~n,F*@MHl 
Channel width 溝道寬度 tQ.3Y$X3U) 
Characteristic impedance 特征阻抗 Z;79mZ 
Charge 電荷、充電 (:_iv 
Charge-compensation effects 電荷補償效應 uNxNXA]bV 
Charge conservation 電荷守恒 fjREy-0X 
Charge neutrality condition 電中性條件 5)Qy 
Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 電荷驅(qū)動/交換/共享/轉(zhuǎn)移/存儲 rcu9_q qb 
"[b9 a  
Chemmical etching 化學腐蝕法 ~^uv]rqu 
Chemically-Polish 化學拋光 yQaR=2 
Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化學機械拋光 v um'Z{_ 
Chip 芯片 N c~~ 
Chip yield 芯片成品率 HRn*{Ip 
Clamped 箝位 d"| V9 
Clamping diode 箝位二極管 3I/4 rNz 
Cleavage plane 解理面 LdyQHT_u@w 
Clock rate 時鐘頻率 U:pj( 
Clock generator 時鐘發(fā)生器 ApzL&a" 
Clock flip-flop 時鐘觸發(fā)器 T"30J?/ 
Close-packed structure 密堆積結(jié)構(gòu) uF{am~J[e 
Close-loop gain 閉環(huán)增益 Ht,^p1& f 
Collector 集電極 OJXXP9| 
Collision 碰撞 jB*+m{ZdQo 
Compensated OP-AMP 補償運放 i^;r<_=+ 
Common-base/collector/emitter connection 共基極/集電極/發(fā)射極連接 Y$"=IRiv# 
Common-gate/drain/source connection 共柵/漏/源連接 @3t59[[S$ 
Common-mode gain 共模增益 (H]VSv 
Common-mode input 共模輸入 ?G(0`e~BmJ 
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 JL o1 
Compatibility 兼容性 .9}00 (W 
Compensation 補償 ['Qv_ V 
Compensated impurities 補償雜質(zhì) 42.tc:m>h 
Compensated semiconductor 補償半導體
['D ;j^ 
Complementary Darlington circuit 互補達林頓電路 9DO1b:~ 
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) ds"`&=e 
互補金屬氧化物半導體場效應晶體管 :A[L.3 
Complementary error function 余誤差函數(shù) F[+En$X: 
Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 計算機輔助設計/ 測試 /制 1x|r;W<:5L 
造 SBts$AhqVF 
Compound Semiconductor 化合物半導體 ~_n3"^tSlb 
Conductance 電導 EWGE5- 
Conduction band (edge) 導帶(底) r7<qzXdJ 
Conduction level/state 導帶態(tài) RzAMA#
_ 
Conductor 導體 z-bNho4T 
Conductivity 電導率 A+ AuRX?z 
Configuration 組態(tài) 1r6
},Jv 
Conlomb 庫侖 1Z*n6W+? 
Conpled Configuration Devices 結(jié)構(gòu)組態(tài) d:YtTL@2 
Constants 物理常數(shù) #fNn)A:jC 
Constant energy surface 等能面 -WjoC>
I? 
Constant-source diffusion恒定源擴散 /GF,-( 
Contact 接觸 T5
P[y S 
Contamination 治污 4|=Ekf Z` 
Continuity equation 連續(xù)性方程 4 |%X]H 
Contact hole 接觸孔 $ }2{ 
Contact potential 接觸電勢  
y
[m" 
Continuity condition 連續(xù)性條件 <n{B@o$x 
Contra doping 反摻雜 [@Yc" 
Controlled 受控的 QdCTO  
Converter 轉(zhuǎn)換器 K`L/2u.2 
Conveyer 傳輸器 szI%Soclq 
Copper interconnection system 銅互連系統(tǒng) R86p=$I; 
Couping 耦合 B_M3qrP? 
Covalent 共階的 L/I?@.;E 
Crossover 跨交 hPWTV;m!R 
Critical 臨界的 3E9"{?M6 
Crossunder 穿交 Pz1w;h c[ 
6jM1_QYXYg 
Crucible坩堝 4da'7M~cc 
Crystal defect/face/orientation/lattice 晶體缺陷/晶面/晶向/晶 "9x)5] 
格 x^LSAe6?_ 
Current density 電流密度 z< myf 
Curvature 曲率 ;WL Y:J 
Cut off 截止 5'<J97" 
Current drift/dirve/sharing 電流漂移/驅(qū)動/共享 Ldi+z"5'Tq 
+Ef82 
Current Sense 電流取樣 RIl@=Va 
Curvature 彎曲 >q_/au> c 
Custom integrated circuit 定制集成電路 V. (wTFas 
Cylindrical 柱面的 |M+4L[ J 
Czochralshicrystal 直立單晶 `r&e /}0Zy 
Czochralski technique 切克勞斯基技術(shù)（Cz法直拉晶體J [Wzz+B@` 
Dangling bonds 懸掛鍵 sCla 3 
Dark current 暗電流 mIYiHMM1 
Dead time 空載時間 zVy{L%LE 
Debye length 德拜長度 >-x/o 
De.broglie 德布洛意 `O#/V5w 
Decderate 減速 Oms$RnQ 
Decibel (dB) 分貝 U/ whI&
3 
Decode 譯碼 t1]f@VP 
Deep acceptor level =Q.?2eK: 
深受主能級 #D EeOz 
Deep donor level 深施主能級 s>#qQasKa 
Deep impurity level 深度雜質(zhì)能級 {ye%h 
Deep trap 深陷阱 DiVh3; 
Defeat 缺陷 5(e$MF ({ 
Degenerate semiconductor 簡并半導體
l-b-m 
Degeneracy 簡并度  ZNCw 6" 
Degradation 退化 d;Dpx?|  {{分頁}}
Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 攝氏/開氏溫度 w Xo8d 
Delay 延遲 VLPLAz^U} 
Density 密度 ]wjF nCX 
Density of states 態(tài)密度 &)j_fh!O7w 
Depletion 耗盡 8J,ZDE_T- 
p^42 
Depletion approximation 耗盡近似 Nr0 jDC<P 
Depletion contact 耗盡接觸 OA~
U 
O56V-AZ= 
Depletion depth 耗盡深度 m ~zo 
Depletion effect 耗盡效應 ?HT2Kkw=H 
Depletion layer 耗盡層 {Fsq,UJlx 
Depletion MOS 耗盡MOS YMxQ'Yl2 
Depletion region 耗盡區(qū) 09nWRJB 
Deposited film 淀積薄膜 ]*.l PS!| 
Deposition process 淀積工藝 sf_lD
A6 
Design rules 設計規(guī)則 ;[.Tf^pS 
Die 芯片（復數(shù)dice） ]B7kydUj 
Diode 二極管 $J,`m{Q[a 
Dielectric 介電的 5#~Mkk2 
Dielectric isolation 介質(zhì)隔離 5d} 8?N<- 
Difference-mode input 差模輸入 {6@wK-O) 
Differential amplifier 差分放大器 MfPX%vA x` 
Differential capacitance 微分電容 Egx9DT7  
Diffused junction 擴散結(jié) 4KK4>D&R 
Diffusion 擴散 #6KV  
Diffusion coefficient 擴散系數(shù) s P(2e 
Diffusion constant 擴散常數(shù) G ] / 
Diffusivity 擴散率 ~ HR5 
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 擴散電容/勢壘/電流/爐 MZ`}c*wem 
Digital circuit 數(shù)字電路 3U4/LX 
Dipole domain 偶極疇 _- hR,n 
Dipole layer 偶極層 wJm6^_!Zw 
Direct-coupling 直接耦合 SeB|Rl:s 
Direct-gap semiconductor 直接帶隙半導體 1) AkFO6 
Direct transition 直接躍遷 'r.KohLP 
R,1ppOM: 
Discharge 放電 G7j ^' x 
Discrete component 分立元件 %B"9e~VU) 
D(HPP";} 
Dissipation 耗散 Ri"pj jB0D 
Distribution 分布 NJ@pSvHi<P 
Distributed capacitance 分布電容 #TBlKvgCx 
Distributed model 分布模型 `z4GW|##K 
Displacement 位移 ML3n .) 
Dislocation 位錯 WX0=)*pZ 
Domain 疇 ft ? sQ 
Donor 施主 #YN_CL"l 
Donor exhaustion 施主耗盡 ;Cf~tOT 
Dopant 摻雜劑 W>lJ'U&_ 
Doped semiconductor 摻雜半導體 GnGP!5'F 
Doping concentration 摻雜濃度 @Wh8m>_ 
Double-diffusive MOS(DMOS)雙擴散MOS. A8~IWxf9 
Drift 漂移 'S AJ;G8, 
Drift field 漂移電場 9" ^^xOUF 
Drift mobility 遷移率 "A9 GXS7 
Dry etching 干法腐蝕 @eDD_4 $ 
Dry/wet oxidation 干/濕法氧化 ~y-ox|1 
Dose 劑量 U.[|[Qlj 
Duty cycle 工作周期 |>a#Gg  
Dual-in-line package （DIP） 雙列直插式封裝 Y11
$Q9y 
Dynamics 動態(tài) A@(.p 
Dynamic characteristics 動態(tài)屬性 rQ=p >ky5 
Dynamic impedance 動態(tài)阻抗 kv=Xl?X 
Early effect 厄利效應 /b|<yB 
Early failure 早期失效 vx#,4q 
Effective mass 有效質(zhì)量 lsB=-@ 
Einstein relation(ship) 愛因斯坦關(guān)系 PqT4s0g 
Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性電可擦除只讀存儲器 q%H$=C 
.}Bq23z;{ 
Electrode 電極 ]J5%+n}] 
Electrominggratim 電遷移 }W3h-J Z 
Electron affinity 電子親和勢 $MrVOZ 
Electronic -grade 電子能 7hI@= S} 
Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蝕劑的電子束曝光 <D=[I:] o~ 
Electron gas 電子氣
7  v88e 
Electron-grade water 電子級純水 /C [e(3 
Electron trapping center 電子俘獲中心 7<nl| ^ 
Electron Volt (eV) 電子伏 rbf)g<}m 
Electrostatic 靜電的 H& %Kq9 
Element 元素/元件/配件 ="BoHZ% 
Elemental semiconductor 元素半導體 ) %VU=b;l= 
Ellipse 橢圓 Tz/ [7 3 
Ellipsoid 橢球 8Cw u 
Emitter 發(fā)射極 u z%&MO 
Emitter-coupled logic 發(fā)射極耦合邏輯 [0o3!^ 
Emitter-coupled pair 發(fā)射極耦合對 8TBMN 
Emitter follower 射隨器 _sdU`h{`N 
Empty band 空帶 KF6U R 
Emitter crowding effect 發(fā)射極集邊（擁擠）效應 -eO,,2qb? 
Endurance test =life test 壽命測試 #>^?=)Z_D 
Energy state 能態(tài) H}B To0 
Energy momentum diagram 能量-動量(E-K)圖 EUAY03 
Enhancement mode 增強型模式 CG*cyM 
Enhancement MOS 增強性MOS P,-VcG? 
Entefic (低)共溶的 yfyZCm0]{ 
Environmental test 環(huán)境測試 ju
P~4E 
Epitaxial 外延的 (d($,[_1 
Epitaxial layer 外延層 #1 0H,{/bZ 
Epitaxial slice 外延片 EYji6u7hw 
Expitaxy 外延 @3L&KR"Tk 
Equivalent curcuit 等效電路 Yswqn4DJ. 
Equilibrium majority /minority carriers 平衡多數(shù)/少數(shù)載流子 pBv8S Z,ja 
Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取（編程）存儲器 1
*%3i< 
Error function complement 余誤差函數(shù) z"be" BML 
Etch 刻蝕 @l[mG`> 
Etchant 刻蝕劑 +Dk;`GPl& 
Etching mask 抗蝕劑掩模 JJkZf N9@~ 
Excess carrier 過剩載流子 _D1
zgyw 
Excitation energy 激發(fā)能 9v~_0n 9 
Excited state 激發(fā)態(tài) +<*_O+!K 
Exciton 激子 I[ h3hT 
Extrapolation 外推法 nT~H~T^ 
Extrinsic 非本征的 i7CYNP4 
Extrinsic semiconductor 雜質(zhì)半導體