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            低壓CM0S帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)

            作者: 時(shí)間:2010-04-28 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
            為了與CMOS標(biāo)準(zhǔn)工藝兼容,電路中PNP的e,b,c區(qū)分別采用P+,N-well,P-sub集電極接地。Q2和Q1的發(fā)射極面積比為8:1,流過Q1和Q2的電流相等,這樣△VBE等于VTln 8。流過電阻R1的電流與熱力學(xué)溫度成正比。三路鏡像電流源使得流過P2,P3,P4的電流相等(I1=I2=I3)。

            輸出VREF為:

            電路中的溫度補(bǔ)償系數(shù)K為:

            通過調(diào)節(jié)R4的值,可以調(diào)節(jié)輸出VREF的大小。在電源變化時(shí),P2,P3,P4的漏源電壓值保持不變,與電源電壓無關(guān),其柵極電壓由運(yùn)放調(diào)節(jié)。為了降低電路的復(fù)雜度,應(yīng)用電流反饋原理,運(yùn)放采用簡單的一階運(yùn)放,由于VDD的變化多于GND的變化,故運(yùn)放的輸入采用NMOS的差分對(duì)結(jié)構(gòu)。因?yàn)檎麄€(gè)電路在下工作,故整個(gè)電路的重點(diǎn)是要保證下運(yùn)放的正常工作。
            由于帶隙源存在兩個(gè)電路平衡點(diǎn),即零點(diǎn)和正常工作點(diǎn)。當(dāng)源工作在零點(diǎn)時(shí),節(jié)點(diǎn)1、2的電壓等于零,源沒有電流產(chǎn)生。固需要一個(gè)啟動(dòng)電路,避免基準(zhǔn)源工作在平衡零點(diǎn)。本的啟動(dòng)電路由N5、N6和P7構(gòu)成。當(dāng)電路工作在零點(diǎn)時(shí),N6管導(dǎo)通,迅速提高節(jié)點(diǎn)1、2的電壓,產(chǎn)生基準(zhǔn)電流,節(jié)點(diǎn)1的電壓通過P7和N5組成的反相器,使N6管完全截止,節(jié)點(diǎn)1、2的電壓回落在穩(wěn)定的工作點(diǎn)上,基準(zhǔn)源開始正常工作。
            電路的器件參數(shù)如表1所示,P2,P3,P4管的尺寸較大,是為了降低電路中的1/f噪聲。電流鏡的負(fù)載管P5,P6和差分對(duì)管N1,N2的寬長比較大,以抑制電路的熱噪聲。由于電路中的電阻值較大,故在工藝中用阱電阻實(shí)現(xiàn)。電容C0有助于電路的穩(wěn)定,同時(shí)還可以減小于運(yùn)放的寬度,有助于降低噪聲的影響。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/180881.htm



            2 仿真與結(jié)果分析
            在Cadence設(shè)計(jì)平臺(tái)下的Spectre仿真器中基于CSMC 0.5 μm CMOS工藝模型對(duì)電路進(jìn)行了仿真。得到電路的溫度特性曲線、直流電源抑制特性曲線、交流PSRR特性曲線、啟動(dòng)時(shí)間曲線如圖4所示。各項(xiàng)仿真結(jié)果參數(shù)如表2所示。



            3 結(jié)語
            在應(yīng)用典型CMOS電壓基準(zhǔn)源的基礎(chǔ)上,綜合一級(jí)溫度補(bǔ)償、電流補(bǔ)償技術(shù),設(shè)計(jì)了帶隙電壓基準(zhǔn)源電路。該帶隙基準(zhǔn)源電路的電源工作范圍為1.6~4 V,工作溫度為-10~+130℃,基準(zhǔn)輸出電壓VREF為(650.5±0.5)mV,溫度系數(shù)可低至2.0 ppm/℃,電源抑制比為-70 dB。仿真結(jié)果證明了設(shè)計(jì)的正確性。


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