一種低溫漂低功耗的簡(jiǎn)易帶隙基準(zhǔn)電壓設(shè)計(jì)
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2 仿真結(jié)果
采用0．35μm BiCMOS工藝模型對(duì)電路進(jìn)行仿真，輸出電壓隨溫度變化曲線如圖4所示。當(dāng)電壓提供5 V供電，溫度從O～70℃變化時(shí)，電壓始終在1．135 32～1．136 56 V范圍內(nèi)變化，測(cè)得溫漂系數(shù)為16．4 ppm／℃。當(dāng)電源電壓從5～6 V變化時(shí)，輸出電壓變化量為1．3 mV，電源抑制比達(dá)57．7 dB。噪聲分析如圖5所示，用軟件對(duì)曲線進(jìn)行積分，可得到電路總的輸出噪聲為140．3μV。同時(shí)，電路總電流控制在60μA左右，功耗為300．6 μW。本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/180705.htm
3 結(jié)束語
介紹了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)易，原理清晰的帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)過程。采用不受電源影響的串聯(lián)電流鏡做偏置，利用PTAT電壓和基極發(fā)射極電壓的相反溫度系數(shù)特性構(gòu)造輸出電壓。0～70~C范圍內(nèi)，溫漂系數(shù)為16．4 ppm／℃。供電從5～6 V變化時(shí)，電源抑制比達(dá)57．7 dB。總輸出噪聲為140．3μV，功耗為300．6μW。參數(shù)達(dá)到預(yù)定目標(biāo)，能基本滿足要求。該帶隙基準(zhǔn)電壓電路簡(jiǎn)單，主要部分只用5個(gè)MOS管、3個(gè)BJT和2只電阻，避開了通用的帶運(yùn)放設(shè)計(jì)，大大簡(jiǎn)化調(diào)試難度，而且設(shè)計(jì)思路簡(jiǎn)潔明了，便于入門級(jí)人員短時(shí)間內(nèi)掌握。
評(píng)論