先談?wù)凜V操作模式，現(xiàn)在大部分芯片都是直接取樣輔助線圈上電壓，由于漏感的原因，在MOS關(guān)斷后，也就是次級二極管導(dǎo)通瞬間，會產(chǎn)生一個尖峰，影響電壓采樣，為了避開個這個尖峰，大部分廠家都是采用延時采機，也就是在MOS管關(guān)斷一段時間后再來采樣線圈電壓。從而避開漏感尖峰。PI是在高壓開關(guān)關(guān)斷2.5 μs采樣。這種采樣方式其實在以前很多芯片上的過壓保護上也都有應(yīng)用，比如OB2203和UCC28600，NCP1377上都有這樣的應(yīng)用，所以可以得到較高精度的過壓保護。

　　還有些廠家是在下取樣電阻上并一個小容量的電容來實現(xiàn)。同時建義大家吸收電路使用恢復(fù)時間約只有2us的IN4007再串一個百歐左右的電阻作吸收?？梢詼p小漏感產(chǎn)生的振鈴，從而減小取樣誤差。得到較高采樣精度。次級圈數(shù)固定，輔助繞組固定，取樣精度高。比較器內(nèi)部精度也高，自然可以得到較高的輸出電壓精度。

　　先寫個變壓器的基本公式。Np*Ipk=Ns*Ipks(變壓器次級只有一個繞組Ns),Np,Ipk,Ns,Ipks分別是初級圈數(shù)，初級峰值電流，次級圈數(shù)，次級峰值電流 .

　　當(dāng)工作在DCM模式時，輸出電流是次級電流(如圖的三角形)在一個工作周期的平均值，所以Io=(Td/T)*Ipsk/2, 其中 T為工作周期。

　　Np*Ipk=Ns*Ipks