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            EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 準(zhǔn)諧振反激的原理、應(yīng)用及參數(shù)計(jì)算

            準(zhǔn)諧振反激的原理、應(yīng)用及參數(shù)計(jì)算

            作者: 時(shí)間:2010-09-07 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

              如果不用固定的時(shí)鐘來(lái)初始化導(dǎo)通時(shí)間,而利用檢測(cè)電路來(lái)有效地“感測(cè)”MOSFET (VDS) 漏源電壓的第一個(gè)最小值或谷值,并僅在這時(shí)啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通時(shí)間,結(jié)果會(huì)是由于寄生電容被充電到最小電壓,導(dǎo)通的電流尖峰將會(huì)最小化。這情況常被稱為谷值開(kāi)關(guān) (Valley Switching) 或準(zhǔn)開(kāi)關(guān)。這篇文章的目的目的在于和大家分享關(guān)于準(zhǔn)反激的、方面的知識(shí)。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/180511.htm

              準(zhǔn) QR

              Q(Quasi)

              R( resonant)

              主要是降低mosfet的開(kāi)關(guān)損耗,而mos的開(kāi)關(guān)損耗主要是來(lái)源于自身的輸出電容。

              


              從上圖中,大家可以討論一下,一般的開(kāi)關(guān)損耗來(lái)自于那幾個(gè)部分的寄生電容產(chǎn)生的。在傳統(tǒng)的非連續(xù)模式反激DCM)的停滯時(shí)間內(nèi),寄生電容將會(huì)跟VDC周圍的主要電感產(chǎn)生振蕩。寄生電容上的電壓會(huì)隨振蕩而變化,但始終具有相當(dāng)大的數(shù)值。當(dāng)下一個(gè)周期MOSFET導(dǎo)通時(shí)間開(kāi)始時(shí),寄生電容會(huì)通過(guò)MOSFET放電,產(chǎn)生很大的電流尖峰。由于這個(gè)電流出現(xiàn)時(shí)MOSFET存在一個(gè)很大的電壓,該電流尖峰因此會(huì)做成開(kāi)關(guān)損耗。

              

              從上面的圖可以看到,準(zhǔn)諧振跟一般的傳統(tǒng)反激基本一樣。

              Lleak是初級(jí)漏感,Rp是初級(jí)電阻,Cp是諧振電容;


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