疊柵MOSFETs的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與研究
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再利用MEDICI提取圖2中各自閾值電壓的值，見表2。在表2中我們可以看到同等條件下VT(stack)>VT，這時需要注意的是在溝道縮小到0．1μm時，單柵NMOS于短溝道效應(yīng)的影響已經(jīng)沒有閾值電壓了，MOSFET經(jīng)失去了作用，而疊柵MOSFET則保持了一個比較合理的閾值，這已經(jīng)證明了疊柵結(jié)構(gòu)能有效的抑制短溝道效應(yīng)。為了比較兩種結(jié)構(gòu)的閾值電壓變化率，可調(diào)整疊柵NMOS的閾值電壓VT(stack)，使它在長溝道情況下與單柵NMOS的閾值電壓VT相等，然后比較兩種結(jié)構(gòu)閾值電壓隨溝道長度的變化率。我們通過降低疊柵結(jié)構(gòu)的溝道摻雜濃度的方法，這樣就會得到在長溝道情況下兩種結(jié)構(gòu)閾值電壓相等。實(shí)際情況下，將疊柵MOSFET溝道摻雜降為2×1016／cm3時，就可以得到上述結(jié)果。仿真結(jié)果如圖3所示。本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/180502.htm
同樣提取相同閾值電壓單柵NMOS的情況，再將兩者的提取值比較，如圖4所示。顯然得到的結(jié)果是在溝道長度低于0．5μm時，疊柵MOSFET的閾值電壓變化率比單柵MOSFET的要小，抑制短溝道效應(yīng)能力也必然要大得多。
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