3 采用IR2132的逆變器電路結(jié)構(gòu)

　　3.1 控制電路

　　采用了一種新型的預(yù)制相位PWM波的數(shù)字控制方案，逆變器6個開關(guān)管的開關(guān)狀態(tài)同某一調(diào)制比的SPWM脈沖相對應(yīng)，其出發(fā)點(diǎn)是由一片EP-ROM來存儲這6個開關(guān)管的開關(guān)狀態(tài)，預(yù)置于EPROM內(nèi)的由多種方式產(chǎn)生，常見的是先計(jì)算出來，對應(yīng)于不同的基波頻率，按一定規(guī)律算出相對應(yīng)的脈寬，再轉(zhuǎn)換成數(shù)值，存儲在EPROM內(nèi)，EPROM的輸出與IR2132的HINl～HIN3，LINl～LIN3相連接。同一橋臂開關(guān)管之間相位互差120°，同橋臂上下開關(guān)互補(bǔ)導(dǎo)通且有死區(qū)。其SPWM波生成電路原理如圖3所示。

　　3.2 驅(qū)動電路

　　采用IR2132芯片驅(qū)動逆變器功率管時(shí)，其基本主電路不需改變，仍可用典型的三相電壓型逆變電路，為便于表示，圖4中畫出了IR2132驅(qū)動中1個橋臂的電路示意圖。圖中C1是自舉電容，為上橋臂功率管驅(qū)動的懸浮電源存儲能量，VD1的作用是防止上橋臂導(dǎo)通時(shí)的直流電壓母線電壓加到IR2132的電源上而使器件損壞，因此VD1應(yīng)有足夠的反向耐壓，當(dāng)然由于VD1與C1串聯(lián)，為了滿足主電路功率管開關(guān)頻率的要求，VD1應(yīng)選快速恢復(fù)二極管。R1和R2是IGBT的門極驅(qū)動電阻，一般可采用10到幾十歐姆。R3和R4組成過流檢測電路，其中R3是過流取樣電阻，R4是作為分壓用的可調(diào)電阻。IR2132的HINl～HIN3，LINl～LIN3作為功率管的輸入驅(qū)動信號與SPWM波生成電路的EPROM連接。其容量取決于被驅(qū)動功率器件的開關(guān)頻率、占空比以及充電回路電阻，必須保證電容充電到足夠的電壓，而放電時(shí)其兩端電壓不低于欠電壓保護(hù)動作值，當(dāng)被驅(qū)動的開關(guān)頻率大于5 kHz時(shí)，該電容值不小于0.1μF，且以瓷片電容為好。

　　4 結(jié)語

　　采用IR2132器件實(shí)現(xiàn)單芯片電源供電的三相逆變器的驅(qū)動，只要合理地選擇浮充電容，驅(qū)動電路工作十分可靠，它不僅使電路結(jié)構(gòu)簡單、可靠性提高，而且可以可靠地實(shí)現(xiàn)短路、過流、欠壓和過壓等故障保護(hù)。