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            EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設計應用 > 新型BiCMOS帶隙基準電路的設計

            新型BiCMOS帶隙基準電路的設計

            作者: 時間:2010-11-07 來源:網絡 收藏

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/180291.htm

              

            電源抑制比

              

              3 結語

              帶隙電壓作為模擬中的重要模塊對A/D采集精度、電源管理芯片的性能都有重要影響。本文了一種高精度、高電源抑制比、低電壓的帶隙,并且實現(xiàn)了對電壓的外部修調。結果表明:電路在3.3 V電源電壓,-40~+125℃下能提供穩(wěn)定的0.5 V基準電壓輸出,溫漂15 ppm,低頻時電源抑制比-103 dB,達到了要求。

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