在上述公式中，有一個問題，那就是如何確定IAS?當(dāng)電感確定后，是由tp來確定的嗎?事實上，對于一個MOSFET器件，要首先確定IAS。如圖1所示的電路中，電感選定后，不斷地增加電流，直到將MOSFET完全損壞，然后將此時的電流值除以1.2或1.3，即降額70%或80%，所得到的電流值即為IAS。注意到IAS和L固定后，tp也是確定的。

　　過去，傳統(tǒng)的測量EAS的電路圖和波形如圖2所示。注意到，VDS最后的電壓沒有降到0，而是VDD，也就是有部分的能量沒有轉(zhuǎn)換到雪崩能量中。

　　圖2 傳統(tǒng)的EAS測量圖

　　在關(guān)斷區(qū)，圖2(b)對應(yīng)的三角形面積為能量，不考慮VDD，去磁電壓為VDS，實際的去磁電壓為VDS-VDD，因此雪崩能量為

　　(5)

　　對于一些低壓的器件，VDS-VDD變得很小，引入的誤差會較大，因此限制了此測量電路的在低壓器件中的使用。

　　目前測量使用的電感，不同的公司有不同的標(biāo)準(zhǔn)，對于低壓的MOSFET，大多數(shù)公司開始趨向于用0.1mH的電感值。通常發(fā)現(xiàn)：如果電感值越大，盡管雪崩的電流值會降低，但最終測量的雪崩能量值會增加，原因在于電感增加，電流上升的速度變慢，這樣芯片就有更多的時間散熱，因此最后測量的雪崩能量值會增加。這其中存在動態(tài)熱阻和熱容的問題，以后再論述這個問題。

　　雪崩的損壞方式

　　圖3顯示了UIS工作條件下，器件雪崩損壞以及器件沒有損壞的狀態(tài)。

　　圖3 UIS損壞波形