因為M1， M2和M3均工作在飽和區(qū)， 有

　　Is= N2 × Is2= N2 × I1 = N2 × IR 1。

　　VA= VDD- V sg1- IR1 ×R1;

　　VB= VDD- V sg2- IR2 ×R2

　　由此可得：

　　為了簡便計算， 設(shè)當(dāng)Vd= 0時， 公式( 1)中前一個括號和后一個括號分別為零， 那么整理后得到，代入輸出電流Io和基準(zhǔn)電流Ir后得到：

　　當(dāng)Io= 100mA 時， V d= 0， 比較器A1翻轉(zhuǎn)， LDO關(guān)閉。設(shè)定N1= 200， N2= 4， M = 4， Ir= 10uA， 得到M 1和M2的寬長比之比和R1與R2 的電阻之比。

　　那么利用PMOS 的飽和區(qū)電流公式可得M1 與M2的具體尺寸。為使此時電壓比較器A1性能更佳，設(shè)定VB 為VDD的一半， 可求出R2阻值， 再根據(jù)公式( 2)得到的電阻比例， 便可得到R1阻值。

　　另外， 為使限流電路能應(yīng)用在較復(fù)雜的電源條件下， 當(dāng)電荷泵充當(dāng)電源時， 該電路設(shè)計一方面提高A1的PSRR， 另一方面如上所述， 利用M1、M2 管和電阻R1、R2， 降低電源VDD 的抖動對A1 輸入端的影響。

　　在輸出端加入退耦電容Cde， 以防止高頻干擾產(chǎn)生誤判斷。

　　為提高PSRR 參數(shù)， A1選擇跨導(dǎo)放大電路， 并且增大PMOS的溝道長度。同時為抑制噪聲干擾，在尾電流一定的條件下， 增大輸入差分對的寬長比。

　　利用Hspice仿真得到比較器A 1的幅頻曲線和PSRR， 如圖3所示。

圖3 比較器A1的幅頻曲線和PSRR曲線