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            基于IR2101最大功率跟蹤逆變器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

            作者: 時間:2011-01-20 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            隨著工業(yè)和科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,對電能質(zhì)量的要求將越來越高,包括市電電網(wǎng)在內(nèi)的原始電能的質(zhì)量可能滿足不了設(shè)備要求,必須經(jīng)過電力電子裝置變換后才能使用,而DC/AC逆變技術(shù)在這種變換中將起到重要的作用。根據(jù)市場趨勢,逆變器的選型安裝越來越傾向于小型化、智能化、模塊化等方向發(fā)展,其控制電路主要采用數(shù)字控制,系統(tǒng)的安全性,可靠性以及擴(kuò)展性,同時將各個完善的保護(hù)電路考慮其中。因此,這里提出一種基于IR2101的最大功率跟蹤逆變器設(shè)計(jì)方案。

            1 IR2101簡介
            IR2101是雙通道、柵極驅(qū)動、高壓高速功率驅(qū)動器,該器件采用了高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù),大大簡化了邏輯電路對功率器件的控制要求,同時提高了驅(qū)動電路的可靠性。同時上管采用外部自舉電容上電,使驅(qū)動電源數(shù)目較其他IC驅(qū)動大大減少,在工程上減少了控制變壓器體積和電源數(shù)目,降低了產(chǎn)品成本,提高了系統(tǒng)可靠性。
            IR2101采用HVIC和閂鎖抗干擾制造工藝,集成DIP、SOIC封裝。其主要特性包括:懸浮通道電源采用自舉電路;功率器件柵極驅(qū)動電壓范圍10~20 V;邏輯電源范圍5~20 V,而且邏輯電源地和功率地之間允許+5 V的偏移量;帶有下拉電阻的CNOS施密特輸入端,方便與LSTTL和CMOS電平匹配;獨(dú)立的低端和高端輸入通道。IR2101的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/179944.htm


            圖1中,HIN為邏輯輸入高;LIN為邏輯輸入低;VB為高端浮動供應(yīng);HO為高邊柵極驅(qū)動器輸出;Vs為高端浮動供應(yīng)返回;Voc為電源;LO為低邊柵極驅(qū)動器輸出;COM為公共端。

            2 系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)
            根據(jù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)功能需求,其硬件組成框圖如圖2所示。該系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)是由SPMC75F2413A單片機(jī)主控制器模塊、外部供能系統(tǒng)(普通或光伏)、斬波電路模塊、IR2101逆變電路模塊和最大功率跟蹤外部電路模塊組成。通過最大功率跟蹤外部電路模塊檢測外部電壓,將檢測值返回到SPMC75F2413A主控制器中。斬波電路模塊通過主控制器對其控制,實(shí)現(xiàn)最大功率跟蹤。外部供能系統(tǒng)是為各個模塊提供電源。IR2101逆變電路模塊主要實(shí)現(xiàn)DC/AC的轉(zhuǎn)換,并由斬波電路為其提供最大功率點(diǎn)的電能。


            圖2中的SPMC75F2413A單片機(jī)正常工作電壓為5 V。但是其他模塊所加的電壓不同,斬波電路模塊與IR2101逆變電路模塊所加的電壓為15 V。因?yàn)镮R2101的正常工作電壓為10~20V。
            2.1 IR2101逆變電路
            IR2101逆變電路原理圖如圖3所示,H1、H2為IR2101集成驅(qū)動芯片,VQ1、VQ2、VQ3、VQ4為MOS管,Up、Un、Vp、Vn是SPMC75F2413A單片機(jī)中輸出的兩相四路PWM波。其中Up、Un是一相PWM波的上下臂,Vp、Vn為另一相PWM波的上下臂,由于單片機(jī)中輸出的PWM波不能驅(qū)動大功率MOS管,因此利用IR2101的電容自舉功能,通過二極管VD1、VD2(采用肖特基管所具有的快恢復(fù)功能,提升電容充電電壓,關(guān)斷過程減少消耗能量)對自舉電容C1、C2進(jìn)行充電,以此提升驅(qū)動MOS管的信號電壓,使其具有擴(kuò)大信號輸出的功能,擴(kuò)大后的信號PWM波就能有序地控制VQ-1、VQ2、VQ3、VQ4的通斷,在逆變電路中同一相的上下臂的驅(qū)動信號是互補(bǔ)。


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