為了提高線性度， 本文采用改進(jìn)型R-MOS結(jié)構(gòu)， 圖2所示是其原理圖。這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是電阻和MOS管之間的分壓作用可使MOS管兩端的電壓變小， 從而改善圖1中的線性度。在這種結(jié)構(gòu)中， 處于線性區(qū)的MOS管更像一個(gè)電流舵器件而不是一個(gè)電阻器件。它的等效電阻如下：

圖2 改進(jìn)型R-MOS可變電阻原理圖

　　式中， 是M1、M2、M3、M4的平均跨導(dǎo)， VCM是由自動(dòng)調(diào)節(jié)電路確定的控制共模電壓。其計(jì)算公式如下：

　　2 高線性度低通濾波器的設(shè)計(jì)

　　2.1 基于反饋的線性度提高技術(shù)

　　濾波器是由積分器實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)積分器有兩個(gè)輸入時(shí)， 通常會(huì)形成反饋。圖3所示是應(yīng)用線性度提高技術(shù)的一階濾波器結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)把由MOS和運(yùn)放組成的積分器看成一個(gè)整體， 它的環(huán)路增益為， 這個(gè)增益在低頻時(shí)和運(yùn)放的直流增益相等， 故其整體傳輸函數(shù)如下：

圖3 R-MOS-C一階濾波器結(jié)構(gòu)圖