主要參數(shù)選擇如下。

1）RTD的選擇 在一些特定電路中，需要更長(zhǎng)的內(nèi)部互鎖時(shí)間，可通過(guò)在腳R_TD外接電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)。由兩個(gè)外接電阻R_TD設(shè)置信號(hào)延遲時(shí)間，電阻接在引腳R_TD和V_S之間，其典型時(shí)間t_TD=2.7＋0.13R_TD，R_TD100kΩ。式中，R_TD單位為kΩ。

2）RCE、CCE的選擇

V_CEstat的選擇如圖5所示。

圖 5 V_CEstat與R_CE的 關(guān) 系 曲 線(xiàn)

計(jì)算R_CE（R_CE>10kΩ）的公式為

V_CEstat=[9R_CE(kΩ)－25]/[10＋R_CE(kΩ)]

式中：V_CEstat的單位為V。

t_min(t_min10μs)的選擇

根據(jù)公式計(jì)算C_CE(C_CEmax=2.7nF)

t_min=C_CE(nF)[10R_CE(kΩ)/(10＋R_CE)]×ln[(15－V_CEstat(V))/(10－V_CEstat)]

典型參數(shù)：R_TD=0，R_CE=24kΩ，C_CE=330pF，V_CEstat=5.6V，t_min=1.75μs。

3）R_ON、R_OFF的選擇 外接電阻RON用于設(shè)置IGBT開(kāi)啟速度，R_ON越大，開(kāi)啟速度越低，且續(xù)流二極管反向恢復(fù)峰值電流減?。煌饨与娮?i>R_OFF用于設(shè)置IGBT關(guān)斷速度，R_OFF越大，關(guān)斷越慢，且寄生電感兩端電壓也下降。典型值：R_ONmin=3.3Ω，R_OFFmin=3.3Ω。

4）IGBT模塊過(guò)溫保護(hù)電路的連接模塊溫度監(jiān)控可由ERROR端與GND端連接雙金屬熱保護(hù)器來(lái)實(shí)現(xiàn)。超過(guò)標(biāo)定溫度時(shí)，保護(hù)器觸點(diǎn)打開(kāi)，使ERROR端有錯(cuò)誤信號(hào)輸出。

5 結(jié)語(yǔ)

實(shí)踐證明，SKHI21/SKHI22確實(shí)是一款性能優(yōu)良的混合雙路IGBT或MOSFET驅(qū)動(dòng)器集成電路。