因此，總的導(dǎo)通損耗PCON為

PCON=PSR1CON＋PSR2CON=Io2Rdson1(1－D－tz/T)＋I(xiàn)o2Rdson2(D－ty/T)（4）

3.2 同步整流管的開(kāi)關(guān)損耗

假設(shè)所有寄生電容為線性，整流管SR1的開(kāi)關(guān)損耗為

PSR1SW=PSR1Ced＋PSR1Cgs＋PSR1Cds（5）

PSR1Cgs=fCgs(2VinD/n)2（6）

式中：Vin為輸入電壓；

f為開(kāi)關(guān)頻率；

n=1/n1=1/n2為初級(jí)與次級(jí)的匝數(shù)比。

PSR1Cds=fCds[2Vin(1－D)/n]2（7）

PSR1Cgd=fCgdp(2VinD/n)2＋fCgdn[2Vin(1－D)/n]2（8）

同樣地，SR2的開(kāi)關(guān)損耗為

PSR2SW=PSR2Cgs＋PSR2Cgd＋PSR2Cds（9）

PSR2Cgs=fCgs[2Vin(1－D)/n]2（10）

PSR2Cds=fCds(2VinD/n)2（11）

PSR2Cgd=fCgdp[2Vin(1－D)/n]2＋fCgdn(2VinD/n)2（12）

式中：Cgdp為vgd>0時(shí)的Cgd；

Cgdn為vgd0時(shí)的Cgd。

因此，同步整流管總的開(kāi)關(guān)損耗PSW為

PSW=PSR1SW＋PSR2SW=4fVin2CTOT(2D2－2D＋1)/n2（13）

式中：CTOT=Cgs＋Cds＋Cgdp＋Cgdn為所有寄生電容之和。

3.3 同步整流管體二極管的導(dǎo)通損耗

兩個(gè)體二極管的導(dǎo)通損耗PDCON為

PDCON=PD3CON＋PD4CON=(ty＋tz)IoVD/T(14)

式中：VD為體二極管的通態(tài)電壓。

將式（4），式（13），式（14）相加就是圖3(a)中變換器總的整流損耗PLOSS。通過(guò)以上分析，可以看出變換器的整流損耗與以下參數(shù)有關(guān)，即輸出電流Io；輸入電壓Vin；開(kāi)關(guān)頻率f；漏感Lr；MOSFET自身參數(shù)值。在這些影響因素中，漏感Lr的選擇至關(guān)重要。顯然，Lr越大，損耗越大，因此，為了提高效率，Lr應(yīng)盡可能小。但是，同時(shí)又要保證Lr足夠大，以實(shí)現(xiàn)主開(kāi)關(guān)管的ZVS，所以，在選擇Lr的值時(shí)，要綜合考慮兩方面的影響，使變換器的性能最優(yōu)。

4 結(jié)語(yǔ)

不對(duì)稱(chēng)半橋DC/DC變換器是一種能實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)的變換器，與其它拓?fù)湎啾?，具有很多?yōu)點(diǎn)。本文對(duì)同步整流技術(shù)在不對(duì)稱(chēng)半橋變換器中的應(yīng)用，從電路工作原理到同步整流驅(qū)動(dòng)方式的選擇作了全面的介紹，并在此基礎(chǔ)上，分析了變換器的整流損耗，使對(duì)影響整流損耗的參數(shù)有了全面的認(rèn)識(shí)。