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            EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設(shè)計應(yīng)用 > 一種帶輔助變壓器的Flyback變換器ZVS軟開關(guān)實現(xiàn)方案

            一種帶輔助變壓器的Flyback變換器ZVS軟開關(guān)實現(xiàn)方案

            作者: 時間:2011-03-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            1)階段1〔t0~t1〕 該階段,S1導(dǎo)通,Lm與Lmr串聯(lián)承受輸入電壓,流過Lm及Lmr的電流線性上升。此時間段

            Vds2=Vin+Vo+Vin(1)

            式中:Vds2為S2的漏源電壓;

            Vo為輸出電壓;

            N1為T原邊繞組匝數(shù);

            N2及N3為T副邊兩個繞組匝數(shù);

            n1及n2為Tr原副邊兩個繞組匝數(shù)。

            2)階段2〔t1~t2〕 t1時刻S1關(guān)斷,Lm上的電流通過T耦合到副邊,使二極管D導(dǎo)通,Lm兩端電壓被箝位在

            V2=-(2)

            Lm上的電流線性下降。

            Lmr上的電流一部分對S1的輸出結(jié)電容Cr1充電,另一部分通過Tr耦合對S2的輸出結(jié)電容Cr2放電。t2時刻,S2的漏源電壓下降到零,該階段結(jié)束。

            3)階段3〔t2~t3〕 當(dāng)S2的漏源電壓下降到零之后,S2的寄生二極管導(dǎo)通,將S2的漏源電壓箝位在零電壓狀態(tài),也就為S2的零電壓導(dǎo)通創(chuàng)造了條件。同時Lmr兩端被箝位在

            V1=-Vo(3)

            Lmr上電流線性下降。而S1的漏源電壓被箝位在最大電壓

            Vds1max=Vin+Vo+Vo(4)

            4)階段4〔t3~t4〕 t3時刻S2的門極變?yōu)楦唠娖?,S2零電壓開通。流過寄生二極管的電流流經(jīng)S2。Lmr兩端依然承受式(3)所示電壓V1,Lmr上電流線性下降到零然后反向增加。t4時刻,S2關(guān)斷,該階段結(jié)束。此時間段

            iDN3+ioN2=iLmN1(5)

            io=iD+iLmr(6)

            iD=(7)

            io=(8)

            5)階段5〔t4~t5〕 t4時刻,Lmr上的電流方向為負,此電流一部分對S1的輸出結(jié)電容Cr1放電,同時,另一部分通過Tr耦合到副邊對S2的輸出結(jié)電容Cr2充電。到t5時刻,S1的漏源電壓下降到零,該階段結(jié)束。

            6)階段6〔t5~t6〕 當(dāng)S1的漏源電壓下降到零之后,S1的寄生二極管導(dǎo)通,將S1的漏源電壓箝位在零電壓狀態(tài),為S1的零電壓導(dǎo)通創(chuàng)造了條件。此時,Lmr上的反向電流流經(jīng)主,給流過二極管D的電流iD疊加上一個電流

            ΔI(t5)=(9)

            此時間段內(nèi),二極管D仍然導(dǎo)通,Lmr兩端電壓被箝位在

            V1=Vin-V2=Vin+Vo(10)

            Lmr上電流線性上升。而S2的漏源電壓被箝位在最大電壓

            Vds2max=Vo(11)

            7)階段7〔t6~t7〕 t6時刻,S1的門極變?yōu)楦唠娖剑琒1零電壓開通。流過寄生二極管的電流流經(jīng)S1。由于Lmr兩端承受的電壓V1此時較大,iLmr快速上升,到t7時刻,iLmr=iLm,主耦合到副邊的電流為零,二極管D自然關(guān)斷。此時間段

            = (12)

            由于LmrLm,式(12)可近似為

            =(13)

            接著Lmr與Lm串聯(lián)承受輸入電壓,開始下一個周期??梢钥吹剑谶@種下,兩個S1和S2零電壓開通,二極管D零電流關(guān)斷。

            2 軟的參數(shù)設(shè)計

            假定電路工作在CCM狀態(tài)。由于S2的軟是iLmrmax對Cr1及Cr2充放電,而S1的軟開關(guān)是iLmrmin對Cr1及Cr2充放電,在電路滿載情況下,|iLmrmax|>>|iLmrmin|,而且S2的充電電壓要大于放電電壓(見圖2波形vds2),因此,S1的軟開關(guān)要比S2難得多。在參數(shù)設(shè)計中,關(guān)鍵是要考慮S1的軟開關(guān)條件。

            2.1 主激磁電感Lm的設(shè)定

            由于Lmr的存在,的有效占空比Deff(根據(jù)激磁電感Lm的充放電時間定義,見圖2)要小于S1的占空比D,但是,由于t4~t7時間內(nèi)iLmr的上升速度非??欤?,可近似認為Deff=D。這樣,根據(jù)電路工作在CCM的條件

            Lm>=?(14)

            式中:η為效率;

            fs為開關(guān)頻率;

            為變換器輸出功率。

            在實際設(shè)計中,為了保證電路在輕載時也能工作在電流連續(xù)模式,取定

            Lm=(15)

            2.2 主副變壓器原副邊匝數(shù)比設(shè)定

            根據(jù)LmrLm,及變換器輸入輸出關(guān)系有

            (16)

            而根據(jù)式(8),為了使輸出濾波前電流io在t3~t4時間段下降不要太快,最好有N3≤N2。

            另外,為了保證t1時刻S1關(guān)斷時流過副邊二極管D的電流iD>0,根據(jù)式(7)有

            (17)



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