如圖4所示:圖中D4選用高頻低壓降肖特基管,用于V1的抗過(guò)飽,減小存儲(chǔ)時(shí)間提高關(guān)斷速度.D2用超快恢復(fù)二極管.其工作原理:C1對(duì)開(kāi)通瞬間不能突變,有兩個(gè)作用:一是方波高于ZW穩(wěn)壓值使V1基極偏置而導(dǎo)通,經(jīng)R5與D3對(duì)FET驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通后漏極處低電平D2導(dǎo)通箝位,V1的偏置回路維持導(dǎo)通,電容C1始終處于低電平.當(dāng)發(fā)生過(guò)流時(shí),VDS迅速上升,ZW低于穩(wěn)壓值將失去導(dǎo)通回路V1將截止.二是R3與C1形成積分延時(shí),并且C1可通過(guò)R3在負(fù)半周的負(fù)電位而更加可靠地開(kāi)通V1.

　　3.3增加軟關(guān)斷技術(shù)的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路

　　對(duì)于IGBT器件增加軟關(guān)斷技術(shù)的電路如圖5所示: