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            EMI電源濾波器的插入損耗分析

            作者: 時(shí)間:2011-04-11 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            如圖4所示,RLo的取值隨著頻率的增加而減小,當(dāng)RLRLo時(shí),共模插損逐漸減小。當(dāng)RL>RLo時(shí),共模插損逐漸增大。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/179261.htm

            j.JPG

             

             


            (2)差模。
            由式(3)可知,令
            k.JPG
            由式(8)中可以看出,當(dāng)RS和RL同時(shí)增大時(shí),g(RS,RL)也隨之增大。如圖5所示,同時(shí)增大源、負(fù)載阻抗,差模逐漸增大。

            l.JPG


            若阻抗失配的條件下,即源阻抗小于負(fù)載阻抗,式(8)可化簡為
            m.JPG
            負(fù)載阻抗在近似計(jì)算中可以被忽略,而源阻抗對(duì)差模的影響是不同的。圖6所示為源、負(fù)載阻抗分別為0.1/100Ω、50/1MΩ、100/1MΩ時(shí),差模插入損耗的比較隋況。由式(7)可知,在源阻抗小于負(fù)載阻抗的條件下,忽略負(fù)載阻抗的影響,源阻抗對(duì)插損的影響成正比,即源阻抗越大,插損越大;反之,則越小。

            n.JPG



            3 結(jié)束語
            通過對(duì)共模和差模等效電路進(jìn)行,推導(dǎo)出共模、差模插入損耗的計(jì)算表達(dá)式,并且分別對(duì)不同源、負(fù)載阻抗對(duì)共模、差模插入損耗的影響做了分析,得出如下結(jié)論:
            (1)對(duì)共模插損來說,在低源阻抗/高負(fù)載阻抗的條件下,失配程度越大,共模插損越高,性能越好。當(dāng)源阻抗小于負(fù)載阻抗時(shí),忽略源阻抗的影響,負(fù)載阻抗對(duì)插損的作用成反比,即負(fù)載阻抗越大,共模插入損耗越小;反之,則越大。
            (2)對(duì)差模插耗來說,在高源阻抗/高負(fù)載阻抗的條件下,差模插入損耗越高。當(dāng)源阻抗小于負(fù)載阻抗時(shí),源阻抗對(duì)差模插入損耗的作用成正比,即源阻抗越大,插損越大;反之,則越小。
            (3)RLo的取值隨著頻率的增加而減小,當(dāng)RLRLo時(shí),共模插損逐漸減小。當(dāng)RL>RLo時(shí),共模插損逐漸增大。


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