應(yīng)用實(shí)例

圖5 為輸入電壓為85～265 V ,輸出為15 V 的反激式開(kāi)關(guān)電源實(shí)際電路。其采用圖4 中(d) 的反饋電路形式。

交流電壓經(jīng)整流橋V 2 整流和C2 濾波后,產(chǎn)生的高壓直流電壓加至變壓器一端,變壓器另一端與TOP224 的漏極相連。R9 , C8 和V 3 為緩沖吸收電路,用以吸收TOP224在關(guān)斷過(guò)程中由于變壓器漏感引起的電壓尖峰過(guò)沖。

偏置線圈經(jīng)V 7 和C2 整流濾波后產(chǎn)生TOP224 所需的偏置電壓; C6 能夠?yàn)V除TOP224 內(nèi)部MOSFET 柵極充電電流的峰值,確定重新啟動(dòng)的頻率, 并與R1 , R2 一起補(bǔ)償控制回路。

TL P431 并聯(lián)穩(wěn)壓器內(nèi)部包含2. 5 V 帶隙基準(zhǔn)電壓、

運(yùn)算放大器和驅(qū)動(dòng)器,作次級(jí)基準(zhǔn)誤差放大器用。調(diào)節(jié)RP1可對(duì)輸出電壓實(shí)現(xiàn)微調(diào)。當(dāng)輸出電壓受某種原因發(fā)生波動(dòng)時(shí),通過(guò)TL431 等器件組成的反饋電路,改變流過(guò)光耦PC817 的發(fā)光二極管的電流,從而改變流入TOP224 控制極的電流,調(diào)整TOP224 內(nèi)部MOSFET 的輸出占空比,使輸出電壓重新穩(wěn)壓。

結(jié)　語(yǔ)

采用TOPSwitch Ⅱ器件的開(kāi)關(guān)電源與采用分立的MOSFET 功率開(kāi)關(guān)及PWM 集成控制器的開(kāi)關(guān)電源相比,具有以下特點(diǎn):

(1) 成本低廉

TOPSwitch Ⅱ采用CMOS 工藝制作,并在芯片中集成了盡可能多的功能,故與傳統(tǒng)的功率開(kāi)關(guān)電路相比,偏置電流顯著降低;開(kāi)關(guān)電源所需的功能集成于芯片中后,外部的電流傳感電阻和初始啟動(dòng)偏壓電流的電路均可除去,可大量減少元器件,使產(chǎn)品的成本和體積均大大減少;

(2) 電源設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化

TOPSwitch Ⅱ器件集成了PWM 控制器和高壓MOSFET ,只需外接一個(gè)電容就能實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償、旁路、啟動(dòng)和自動(dòng)重啟功能;

(3) 功能完善的保護(hù)

TOPSwitch Ⅱ具有自動(dòng)重啟和逐周電流限制功能,可對(duì)功率變壓器初級(jí)和次級(jí)電路的故障進(jìn)行保護(hù);其還具有過(guò)熱保護(hù)和過(guò)流保護(hù)功能,可在電路過(guò)載時(shí)有效地保護(hù)電源。